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国家自然科学基金(60306003)

作品数：6 被引量：2H指数：1
相关作者：张海鹏沈世龙杨宝岳亚富胡晓萍更多>>
相关机构：杭州电子科技大学大连理工大学杭州汉安半导体有限公司更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇SOI
  • 2篇绝缘层
  • 2篇绝缘层上硅
  • 2篇TF
  • 2篇LIGBT
  • 1篇射频
  • 1篇射频功率
  • 1篇射频功率放大...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇漂移区
  • 1篇闩锁
  • 1篇闩锁效应
  • 1篇温度模型
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶体学
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇绝缘栅双极晶...
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器

机构

  • 6篇杭州电子科技...
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇杭州汉安半导...

作者

  • 6篇张海鹏
  • 1篇汪沁
  • 1篇苏步春
  • 1篇牛小燕
  • 1篇邱晓军
  • 1篇李浩
  • 1篇马里剑
  • 1篇冯耀兰
  • 1篇胡晓萍
  • 1篇陈卫军
  • 1篇魏同立
  • 1篇王德君
  • 1篇余厉阳
  • 1篇吕韶义
  • 1篇刘国华
  • 1篇张正璠
  • 1篇岳亚富
  • 1篇杨宝
  • 1篇沈世龙

传媒

  • 1篇电讯技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子与封装
  • 1篇中国科技论文...

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 2篇2006
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
TF SOI NLIGBT漂移区表面堆积状态小注入间接寿命模型及模拟
2011年
为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响,在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究基础上,考虑表面堆积状态下能带向下弯曲对界面态分布的影响而建立了堆积状态下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型,然后采用基于MATLAB平台的循环嵌套矩阵算法进行模拟。
张海鹏李浩刘国华牛小燕
射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真
2009年
简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物-半导体(SOI LDMOS)电路模型。根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真。该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计。结果表明放大器的增益达到15dB,输出功率达到25dBm,功率附加效率大于40%。
陈卫军马里剑张海鹏余厉阳吕韶义
关键词：射频功率放大器SOILDMOS负载牵引法
EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型
2006年
详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,非常适合于高温应用.如果对其进行优化设计,有利于改善其上升-下降时间温度特性的对称性,提高其最高工作频率.
张海鹏魏同立冯耀兰汪沁张正璠
关键词：绝缘层上硅CMOS
SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展
2011年
概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、埋栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT、槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一些结构在抗闩锁方面的改善情况,总结指出抑制闩锁效应发生的根本出发点是通过降低p基区电阻的阻值或减小流过p基区电阻的电流来削弱或者切断寄生双极晶体管之间的正反馈耦合。
苏步春张海鹏王德君
关键词：绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管闩锁效应
理想情况下晶体中热缺陷产生复合理论的改进模型
2007年
本文在理想情况下晶体中热缺陷产生复合经典理论的基础上,在描述正常格点原子形成间隙原子的过程中考虑晶体结构和晶格配位数对危险点数目的影响,依次修正晶体中危险点的数目与正常格点数目之比和单位时间内间隙原子的复合率,进而分别导出以间隙原子运动为主和以空位运动为主两种情况下理想晶体中正常格点位置上的原子形成间隙原子的概率的改进模型,以及在温度不太高时的改进模型近似结果。显然,改进模型的结果大于或等于经典模型的S倍。
张海鹏
关键词：晶体学
DRT MC SOI LIGBT器件漂移区新结构的可实现性被引量：2
2006年
简介了减薄漂移区多沟道SOILIGBT结构雏形,根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性,提出了可能实现的三种表面微结构及其工艺实现方法;指出了这种器件雏形结构存在的几个主要问题,有针对性地探讨了改进措施,并提出了面向智能PowerICs应用的同心圆环源漏互包SOILIGBT结构,及其迄待研究的主要问题与部分解决措施。
张海鹏邱晓军胡晓萍沈世龙杨宝岳亚富
关键词：SOILIGBT新结构
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