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国家自然科学基金(60306003)

作品数：6 被引量：2H指数：1
相关作者：张海鹏沈世龙杨宝岳亚富胡晓萍更多>>
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领域

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地区

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共 19 条 记 录，以下是 1-10
张海鹏
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 SOI_LDMOS 氧化层 SOI 埋层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马里剑
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：测试技术 LDMOS TFT-LCD SOI_LDMOS SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯耀兰
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题：MOS器件 高温 硅 绝缘层上硅 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱晓军
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题：MC LIGBT DRT SOI 漂移区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余厉阳
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：压电变压器 压电 手术器械 波形 压电换能器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈卫军
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：绝缘体上硅 大信号 散射参数 直流特性 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨宝
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题：MC LIGBT DRT SOI 漂移区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正璠
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院
研究主题：EM CMOS TF 绝缘层上硅 温度模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛小燕
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：教学改革 氧化层 二极管 缓冲区 短路点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕韶义
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：数据挖掘 仿真 决策表 人工智能 仿真系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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