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安徽省高等学校优秀青年人才基金(2012SQRL013ZD)

作品数：8 被引量：12H指数：2
相关作者：徐太龙陈军宁孟坚代月花杨金更多>>
相关机构：安徽大学淮北师范大学安徽建筑大学更多>>
发文基金：安徽省高等学校优秀青年人才基金国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电路
  • 2篇延时
  • 2篇延时锁定环
  • 2篇时钟
  • 2篇时钟偏差
  • 2篇全数字
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电路
  • 1篇等效
  • 1篇等效电路
  • 1篇低功耗
  • 1篇低温度系数
  • 1篇低温漂
  • 1篇第一性原理
  • 1篇电路设计
  • 1篇电容
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇调制器
  • 1篇信噪比

机构

  • 7篇安徽大学
  • 2篇淮北师范大学
  • 1篇合肥学院
  • 1篇东南大学
  • 1篇合肥师范学院
  • 1篇安徽工程大学
  • 1篇安徽三联学院
  • 1篇安徽建筑大学

作者

  • 7篇徐太龙
  • 5篇陈军宁
  • 4篇孟坚
  • 3篇代月花
  • 2篇蒋先伟
  • 2篇杨金
  • 2篇代广珍
  • 2篇徐超
  • 1篇蔡志匡
  • 1篇郑长勇
  • 1篇张伟
  • 1篇周茂秀
  • 1篇柯导明
  • 1篇鲁世斌
  • 1篇薛峰
  • 1篇宗桂林
  • 1篇许会芳
  • 1篇赵强

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇计算机工程
  • 1篇电子技术（上...
  • 1篇计算机应用研...
  • 1篇小型微型计算...
  • 1篇微电子学

年份

  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
全数字延时锁定环的研究进展被引量：2
2013年
全数字延时锁定环在现代超大规模系统芯片中具有极其重要的作用,被广泛地用于解决系统时钟的产生和分布问题,因此详细分析其研究进展具有一定的理论意义和实际应用价值.首先在分析延时锁定环工作原理的基础上,阐明了全数字延时锁定环相对于全模拟和混合信号延时锁定环具有的优点.其次详细阐述了全数字延时锁定环的发展过程、研究现状和存在的问题,尤其在指出传统逐次逼近寄存器延时锁定环存在谐波锁定、锁定时间没有达到理论值和死锁三个问题的基础上,对各种改进型逐次逼近寄存器延时锁定环的性能进行了对比分析.最后对全数字延时锁定环的未来发展趋势进行了展望.
徐太龙陈军宁孟坚徐超柯导明
关键词：时钟偏差
一种低功耗系统芯片的可测试性设计方案
2014年
低功耗技术,如多电源多电压和电源关断等的应用,给现代超大规模系统芯片可测试性设计带来诸多问题。为此,采用工业界认可的电子设计自动化工具和常用的测试方法,构建实现可测试性设计的高效平台。基于该平台,提出一种包括扫描链设计、嵌入式存储器内建自测试和边界扫描设计的可测性设计实现方案。实验结果表明,该方案能高效、方便和准确地完成低功耗系统芯片的可测性设计,并成功地在自动测试仪上完成各种测试,组合逻辑和时序逻辑的扫描链测试覆盏率为98.2%。
徐太龙鲁世斌代广珍孟坚陈军宁
关键词：可测试性设计低功耗系统芯片内建自测试扫描链
快速全数字逐次逼近寄存器延时锁定环的设计被引量：1
2014年
全数字延时锁定环在现代超大规模系统芯片集成中具有重要的作用,用于解决时钟偏差和时钟生成问题。传统的全数字逐次逼近寄存器延时锁定环存在谐波锁定、死锁和锁定时间比理论时间长的问题。为此,通过改进逐次逼近寄存器的电路结构,采用可复位数控延时线,设计一种改进型宽范围全数字逐次逼近延时锁定环,以解决谐波锁定和死锁问题。基于中芯国际0.18μm CMOS数字工艺,实现一个6位全数字逐次逼近寄存器延时锁定环。仿真结果表明,最长锁定时间为6个输入时钟周期,验证了所提方法的正确性。
徐太龙薛峰蔡志匡郑长勇
关键词：延时锁定环时钟偏差死锁
改进的一阶1 bit Sigma-Delta调制器研究被引量：1
2014年
为了改善量化噪声,提出了一种新的一阶1 bit Sigma-Delta调制器结构。通过对标准的一阶1 bit SigmaDelta调制器进行研究,指出了其量化噪声是非加性的,并且把输入和输出之差作为Sigma-Delta调制器的输入,进一步实现了输入信号的调制。理论推导得出新结构对正弦信号调制的信噪比比传统结构高6 dB,MATLAB Simulink仿真结果显示新结构带内噪声功率减小,为高性能的Sigma-Delta调制器提出了一种新的设计方法。
代广珍徐太龙孟坚徐会芳徐超陈军宁
关键词：SIGMA-DELTA调制器噪声整形过采样信噪比
单材料双功函数栅MOSFET的电容模型
2013年
基于表面势理论和电荷平衡方程,建立了一种单材料双功函数栅(single materialdouble workfunction gate,SMDWG)MOSFET的电容模型,分别给出了SMDWG MOSFET的栅-源和栅-漏电容的解析表达式,物理概念清晰,且参数可调。通过与MEDICI模拟结果比较和分析,进一步验证了该物理模型的正确性和可行性。然后,基于上述模型设计了SMDWG MOSFET的电容等效电路,发现在考虑总电容的时候,只需要考虑其中的一个分电容,有效简化了对该器件的计算和分析,对器件的设计和应用具有一定的参考意义。
张伟徐太龙周茂秀赵强代月花
关键词：MOSFET电容表面势等效电路
RRAM阻变效应的物理机制被引量：1
2013年
采用基于密度泛函理论的第一性原理对阻变随机存取存储器(RRAM)器件的阻变物理机制进行了分析研究。对比计算了氧空位缺陷或掺杂(Al,Ti和La)HfO2体系的形成能、能带结构、态密度以及迁移势垒能,结果表明,掺杂后体系的氧空位形成能明显减小,掺杂促进了氧空位的形成;无论掺杂和未掺杂的体系,当氧空位存在时禁带宽度会明显减小,且禁带中多出一个占据态的峰,材料的导电能力明显增强。表明氧空位是材料导电的主要因素,杂质起到辅助作用。计算结果与相关实验结果相符合。进一步分析迁移势垒能,说明金属杂质对氧空位产生缔合作用而促使形成团簇,从而对器件的操作电压、工作速度等产生影响。
杨金代月花陈军宁徐太龙蒋先伟许会芳
关键词：氧空位掺杂第一性原理
集成电路设计EDA实验课程的教学优化被引量：4
2012年
根据教学经验,阐述了对《集成电路设计EDA实验》课程教学的优化。这些优化包括课程开设时间、先前理论课程重点内容的复习、基于工业界主流EDA工具的实验平台的搭建和教学实例的选择。课程优化后的教学充分调动了学生学习的积极性,增强了学生的动手能力,使学生从整体上掌握了集成电路设计的流程,并与工业界接轨,提高了就业竞争力,达到了预期效果。
徐太龙孟坚
关键词：集成电路设计教学优化EDA工具
一种高电源抑制比低温漂系数带隙基准电路被引量：4
2014年
设计了一种用于DC-DC开关电源芯片的高电源抑制比、低温漂系数带隙基准电路。基于0.5μm BCD工艺,仿真结果表明,在不显著增加电路面积损耗的前提下,该电路的电源抑制比在低频下接近110dB,100kHz时约为50dB,1MHz时约为40dB;通过高温时的高阶温度补偿,0℃~100℃范围内的温度系数低于1.0×10-5/℃。此外,电流温度补偿的运用可有效地减小电流温度系数,从而使得芯片中的振荡器的频率输出更加稳定。
杨金代月花宗桂林蒋先伟陈军宁
关键词：带隙基准低温度系数
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