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国家高技术研究发展计划(2006AA843134)

作品数:3 被引量:21H指数:3
相关作者:刘明谢常青朱效立姜骥陈宝钦更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所中国工程物理研究院长春理工大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇电子束光刻
  • 1篇衍射
  • 1篇衍射光学
  • 1篇透射
  • 1篇透射光
  • 1篇透射光栅
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀系统
  • 1篇光刻
  • 1篇光学
  • 1篇光栅
  • 1篇干法刻蚀
  • 1篇X射线光刻
  • 1篇ICP

机构

  • 3篇中国科学院微...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 3篇朱效立
  • 3篇谢常青
  • 3篇刘明
  • 2篇张庆钊
  • 2篇陈宝钦
  • 2篇姜骥
  • 1篇叶甜春
  • 1篇徐熙平
  • 1篇杨家敏
  • 1篇牛洁斌
  • 1篇付强
  • 1篇李兵
  • 1篇刘兴华
  • 1篇马杰
  • 1篇赵珉
  • 1篇曹磊峰

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光子学报

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究被引量:3
2008年
对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数——下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定.结果表明,下电极射频偏压与其他工艺参数在可适用的工艺窗口中(改变上下电极功率和气体压力)不再是平常认为的简单的比例关系,而是随着条件的改变,对应的趋势比例关系会发生转折性变化,这种变化在高上电极射频、低下电极射频功率和低气压的条件下很容易发生.
张庆钊谢常青刘明李兵朱效立陈宝钦
关键词:等离子体ICP干法刻蚀
高线密度X射线透射光栅的制作工艺被引量:13
2007年
采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然后利用X射线光刻经济、高效地复制X射线透射光栅.整个工艺流程分别利用了电子束光刻分辨率高和X射线光刻效率高的优点,并且可以得到剖面陡直的纳米级光栅线条.最后,测量了制作出的X射线透射光栅对波长为11nm同步辐射光的衍射峰,实验结果表明该光栅具有良好的衍射特性.
朱效立马杰曹磊峰杨家敏谢常青刘明陈宝钦牛洁斌张庆钊姜骥赵珉叶甜春
关键词:电子束光刻透射光栅X射线光刻
基于角谱法的振幅型光子筛的设计和分析被引量:5
2008年
对光子筛的聚焦成像原理作了分析,并用平面波角谱方法对光子筛聚焦成像进行了数值模拟.模拟结果表明,光子筛聚焦具有提高分辨率和抑制高级衍射的优点.在理论分析和计算机模拟的基础上,设计并制作了Fresnel波带片、未平滑处理和平滑处理后的光子筛.用波长为532nm激光光源对波带片和光子筛聚焦光斑进行检测.结果表明,光波通过光子筛聚焦后的光斑比波带片的光斑更细,成像对比度更高.
姜骥付强朱效立刘兴华徐熙平谢常青刘明
关键词:衍射光学
共1页<1>
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