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集成电路亚45nm级铜布线扩散阻挡层WN薄膜的研究: WN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用。利用磁控溅射技术制备WN/Cu/WN/SiO2/Si薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、四探针测试仪、薄膜测厚仪等研究多层膜的成分、电阻率和膜厚。考察亚45nm级工艺条...; 张伟强陈秀华项金钟王莉红; 关键词：WN 磁控溅射; 文献传递

ULSI Cu互连CoSiN扩散阻挡薄膜的研究: 2012年; CoSiN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用。利用磁控溅射技术制备了CoSiN/Cu/CoSiN/SiO2/Si薄膜,利用四探针测试仪、薄膜测厚仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等来检测多层膜电阻率、薄膜厚度、表面形貌、元素含量及价态等。考察亚45 nm级工艺条件下CoSiN薄膜对Cu的扩散阻挡性能。实验结果表明,在氩气气氛条件下经500℃,30 min热退火处理后多层膜的电阻率和成分没有发生明显变化,CoSiN薄膜能够保持良好的铜扩散阻挡性能;经600℃,30 min热退火处理后,Cu大量出现在表面,CoSiN薄膜对Cu失去扩散阻挡性能。; 张在玉陈秀华韩永强; 关键词：磁控溅射

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云南省自然科学基金(2007E002M)