国家自然科学基金(59995550-1)
- 作品数：30 被引量：65H指数：4
- 相关作者：周润德刘理天戴宏宇岳瑞峰董良更多>>
- 相关机构：清华大学中国科学院中国科学院上海冶金研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育振兴行动计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术动力工程及工程热物理理学更多>>
- 多晶锗硅室温微测辐射热计线性阵列的研制被引量：3
- 2004年
- 采用超高真空气相淀积系统 ( UHVCVD)制备了多晶锗硅薄膜 ( poly-Si0 .7Ge0 .3) ,研究了它的退火特性和电阻温度特性。将多晶锗硅薄膜电阻作为微测辐射热计的敏感元件 ,采用体硅微机械加工技术制作了 8× 1桥式微测辐射热计线性阵列 ,优化设计的微桥由两臂支撑 ,支撑臂的长和宽分别为 2 2 0 μm和 8μm,桥面面积为 80μm× 80μm。测试结果表明 ,在 773 K黑体源 8～ 1 4μm红外辐射下 ,调制频率为 3 0 Hz时 ,阵列中各单元的电压响应率为 6.2 3 k V/W～ 6.40 k V/W,探测率为 2 .2 4× 1 0 8cm Hz1 /2 W- 1～ 2 .3 3× 1 0 8cm Hz1 /2 W- 1 ,热响应时间为2 1 .2 ms～ 2 2 .1 ms,表明了器件具有较高的性能及较好的一致性。
- 董良岳瑞峰刘理天
- 关键词：微机械
- 能量回收的数据通道设计
- 2003年
- 基于绝热计算原理的能量回收电路是克服数字电路功耗CV2壁垒的有效途径,非绝热损失是能量回收电路的主要功耗来源,该文提出的IERL(ImprovedEnergyRecoveryLogic)电路以小电容节点的非绝热操作使大电容输出节点通过CMOS支路进行充电和回收,减少了输出节点的非绝热损失。采用IERL结构设计的反相器链和全加器电路经过了HSPICE验证,说明IERL电路能够实现复杂的逻辑运算和多级流水线操作,同时将电路的功耗与CMOS电路、PAL电路进行了比较,在10MHz和100MHz频率下,其功耗损失仅为CMOS电路和PAL电路功耗的35%和45%。
- 戴宏宇周润德
- 关键词：大规模集成电路低功耗设计数据通道电路设计
- 体硅、SOI及DSOI MOSFET器件级电、热分析
- 2003年
- 利用简化的半导体电学方程,数值模拟获得了各种电学参数的分布,并结合简化电阻模型,模拟了体硅、SOI及DSOI的MOSFET器件的温度场。结果表明MOSFET器件的沟道,特别是靠近漏的区域电场强度及电流密度等各项电、热特性参数在该区域变化剧烈,是最主要的热源区。
- 梁新刚刘宏伟
- 关键词：MOSFET热模拟电模拟
- 用于室温红外探测器热敏材料的PECVD掺硼a-Si薄膜的研究被引量：2
- 2006年
- 采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关性,得到了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测灵敏度高达2.17×108cmHz1/2W-1的a-Si室温红外探测器。
- 岳瑞峰董良刘理天
- 关键词：室温红外探测器PECVD热敏材料硼掺杂电阻温度系数
- ERCCL:Energy Recovery Capacitance Coupling Logic
- The non-adiabatic loss of ERCCL is independent of the size of the associated circuit and the load capacitance,...
- Yang Qian
- 采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性(英文)被引量：2
- 2003年
- 通过局域注氧工艺 ,在同一管芯上制作了 DSOI、体硅和 SOI三种结构的器件 .通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性 .模拟和测量的结果证明 DSOI器件与 SOI器件相比 ,具有衬底热阻较低的优点 ,因而 DSOI器件在保持 SOI器件电学特性优势的同时消除了 SOI器件严重的自热效应 .DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近 ,并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势 .
- 林羲何平田立林李志坚董业民陈猛王曦
- 关键词：场效应晶体管DSOISOI自热效应热阻
- 能量回收阈值逻辑及其功率时钟产生电路(英文)
- 2004年
- 提出了能量回收阈值逻辑电路 (ERTL) .该电路把阈值逻辑应用到绝热电路中 ,降低能耗的同时也降低了电路的门复杂度 .并且提出了一种高效率的功率时钟产生电路 .该功率时钟电路能够根据逻辑的复杂度和工作频率 ,调整电路中 MOS开关的开启时间 ,以取得最优的能量效率 .为了便于功率时钟的优化设计 ,推导出了闭式结果 .基于 0 .35 μm的工艺参数 ,设计并且仿真了 ERTL 可编程逻辑阵列 (PL A)和普通结构 PL A.在 2 0～ 10 0 MHz的工作频率范围内 ,提出的功率时钟电路的能量效率可以达到 77%～ 85 % .仿真结果还显示 ,ERTL 是一个低能耗的逻辑 .ERTL PL A与普通结构的 PL A相比 ,包括功率时钟电路的功耗在内 ,ERTL PL A仍节省 6 5 %～
- 杨骞周润德
- 关键词：能量回收低功耗CMOS电路
- 动态电压调整的系统级功耗管理模型被引量：1
- 2005年
- 动态功耗管理技术还需更多的系统工作模型理论研究,该文提出了一种新的采用适于动态电压调整的系统级功耗管理方法,把电压调整比例因子从工作状态建模中独立出来进行优化,能更有效地调整延时和能耗的折衷。分别从理论分析和系统仿真的方法,对比了不同的固定电压策略和动态电压调整策略的工作性能。结果表明,采用上述理论模型优化搜索得到的电压调整策略实现在设定的不同工作条件下具有较强的速度功耗调节能力,能够满足具体工作的性能要求,并且节省很大的功耗。
- 张盛王乃龙周润德
- 关键词：低功耗功耗管理电压调整
- 能量回收阈值逻辑电路
- 2004年
- 通过把阈值逻辑应用在能量回收电路中 ,提出了一种新的电路形式——能量回收阈值逻辑电路 (energy re-covery threshold logic,ERTL) .阈值逻辑的应用 ,使 ERTL 电路的门复杂度大大降低 ,同时进一步降低了功耗 .分别以 ERTL 电路和静态 CMOS电路设计了 4位超前进位加法器 ,两个加法器采用相同的结构 .ERTL 加法器逻辑电路的晶体管数目只占静态 CMOS加法器的 6 3% ,与现有的能量回收电路相比 ,硬件开销减少 .设计使用的是TSMC0 .35 μm工艺 ,分别在 3V和 5 V工作电压下对电路进行 Spice仿真 .仿真结果显示 ,在实际的工作负载和工作频率范围内 ,ERTL 电路的能耗只有静态 CMOS电路的 14 %～ 5 8%
- 杨骞周润德
- 关键词：能量回收低功耗CMOS电路
- DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较被引量：3
- 2003年
- 严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI3种结构的器件。通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应。由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势。DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件。
- 林羲董业民何平陈猛王曦田立林李志坚
- 关键词：DSOISOI绝缘体上硅自热效应浮体效应场效应器件
