国家自然科学基金(69738020)
- 作品数：7 被引量：34H指数：4
- 相关作者：褚君浩孟祥建郭少令李刚于剑更多>>
- 相关机构：中国科学院上海交通大学中国科学院上海冶金研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 铁电晶体铌酸钾锂的拉曼和FT-IR光谱被引量：4
- 2003年
- 用提拉法生长了完整透明的铁电铌酸钾锂晶体 .利用X 射线荧光光谱法测量分析了晶体的组成 .采用X 射线测量了晶体的结构 .用结构完整、组分均匀 ,尺寸为 6× 6× 7(a×b×c)mm3 的晶体样品 ,测量了晶体的拉曼光谱和红外折射光谱 .与其它钨青铜类晶体的晶格振动光谱进行比较 ,铌酸钾锂晶体中对称弯曲振动模式v5在拉曼光谱中分裂为 3个拉曼峰 ,反对称伸缩振动模式v3 和反对称弯曲振动模式v4在红外反射光谱中所对应的峰被加宽 ,v4被轻微分裂 .
- 万尤宝赵强郭旭光陈静褚君浩SangImYoo
- 关键词：铌酸钾锂晶体非线性光学提拉法铁电晶体
- Hg_(1- x)Cd_x Te禁带宽度附近折射率增强效应(英文)
- 2001年
- 用红外椭圆偏振光谱测量了室温下 Hg1 - x Cdx Te(x=0 .2 76 ,0 .30 9,0 .378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率 .对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应 .折射率峰值所对应的能量位置近似等于其禁带宽度 .禁带宽度之上折射率随波长 λ变化可用 Sellmeier色散关系 n2 (λ) =a1 + a2 / λ2 + a3/ λ4+ a4/ λ6进行拟合 .
- 黄志明张展竑蒋春萍褚君浩
- 关键词：折射率红外材料
- 溶胶-凝胶法制备的Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3薄膜的结构及铁电性质研究被引量：10
- 2000年
- 采用 0 0 5mol/L的前驱体溶液 ,利用溶胶 凝胶法成功制备了室温下具有优良铁电性质的Ba0 .8Sr0 .2 TiO3(BST)薄膜 .X射线衍射分析表明 ,制得的BST薄膜室温下呈四方相 ,场发射扫描电子显微观测显示BST薄膜表面平整、致密、无裂纹出现 ,薄膜晶粒呈柱状结构、尺寸在 15 0nm左右 .电学测量表明制备的BST薄膜室温下具有优良的铁电性能 .薄膜的剩余极化Pr 约为 3 5 μC/cm2 ,矫顽电场Ec 约为 5 3kV/cm .薄膜的绝缘性能也较好 .这为利用溶胶
- 程建功孟祥建唐军郭少令褚君浩
- 关键词：溶胶-凝胶法BST薄膜铁电性质
- 化学溶液法制备的Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜的结构及光学特性研究被引量：10
- 2002年
- 采用高度稀释的前驱体溶液在LaNiO3 (LNO)薄膜上沉积了Ba0 .9Sr0 .1TiO3 (BST)薄膜 .X 射线衍射分析表明BST薄膜呈高度的 (10 0 )择优取向 .原子力显微镜测量发现制备的BST薄膜具有大的晶粒尺寸 80～ 2 0 0nm .用椭偏光谱仪测量了光子能量为 0 .7～ 3.4eV范围内BST薄膜的椭偏光谱 ,用Cauchy模型描述BST薄膜的光学性质 ,获得了BST薄膜的光学常数谱和禁带宽度Eg=3.36eV .
- 王根水赖珍荃于剑孟祥建孙憬兰郭少令褚君浩金承钰李刚路庆华
- 关键词：化学溶液法BST薄膜椭偏光谱光学特性
- 层状钙钛矿结构铁电薄膜高场耗散效应
- 1998年
- 以层状钙钛矿结构铁电薄膜Pt/SrBi2 Ta2 O9/Pt(Pt/SBT/Pt)三明治结构薄膜电容系统为例 ,研究了铁电薄膜高场耗散效应 .详细讨论了铁电薄膜高场漏电特性、击穿特性和瞬变电流特性以及铁电薄膜高场耗散效应产生的机理 .发现SBT薄膜漏电机制是从体限制过渡到电极限制为主 ,击穿电场与电极有效面积的对数成负线性关系 ,瞬变电流与极化反转无关 .理论分析与实验结果一致 .
- 杨平雄邓红梅褚君浩
- 关键词：铁电薄膜钙钛矿结构铁电材料
- 改进溶胶-凝胶法制备PZT50/50铁电薄膜被引量：1
- 2002年
- 采用改进的溶胶凝胶法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了ＰＺＴ５０／５０铁电薄膜，用Ｘ射线衍射表征了薄膜的物相，用原子力显微镜（ＡＦＭ）表征薄膜的微观形貌，用ＲＴ６６Ａ测量了薄膜的铁电特性，获得了具有优良的铁电性能的晶粒尺寸为１００ｎｍ的ＰＺＴ５０／５０铁电薄膜，在２０Ｖ电压下，Ｐｒ＝３１．８３μＣ／ｃｍ２。
- 王根水于剑赖珍荃孟祥建孙璟兰郭少令褚君浩李刚路庆华
- 关键词：溶胶-凝胶法前驱体铁电薄膜
- 新型高k栅介质材料研究进展被引量：9
- 2002年
- 随着半导体技术的不断发展 ,MOSFET (metal oxide semiconductorfieldeffecttransistor)的特征尺寸不断缩小 ,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著 ,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料 ,能够在保持和增大栅极电容的同时 ,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义 ;MOS栅介质的要求 ;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态 ;
- 章宁琳宋志棠万青林成鲁
- 关键词：MOSFET高K材料栅介质
