国家高技术研究发展计划(2002AA001013)
- 作品数：7 被引量：82H指数：4
- 相关作者：田民波黄卓熊胜虎郑东风陈军君更多>>
- 相关机构：清华大学中国人民解放军空军中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 多结化合物电池用p型Ge抛光片清洗技术研究被引量：2
- 2010年
- 对多结化合物太阳电池用的p型Ge抛光片的清洗技术做了研究。Ge抛光片的清洗可以采用酸性清洗液和碱性清洗液相结合的方式。酸性清洗液的主要作用是去除晶片表面的有机物;碱性清洗液的主要作用是去除晶片表面的颗粒。清洗液的温度和组分影响着抛光片的清洗效果。通过实验结果确定了p型Ge抛光片的清洗方案,采用这一清洗方案清洗的Ge抛光片,表面质量可以达到"开盒即用"的水平。运用晶片清洗机理分析了各种清洗液的功能和作用。
- 刘春香杨洪星赵权
- 关键词：清洗技术太阳电池清洗液晶片
- Ge,Al共掺SiO_2薄膜的发光性能研究被引量：1
- 2012年
- 用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料。经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰。通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了薄膜的结构特征,同时对观察到的光致发光从理论上做了重点分析,认为双重配位的Si孤对中心和GeO色心中的三重激发态到基态(T1→S0)之间的辐射跃迁分别是产生414和398 nm发光峰的主要原因。实验结果表明,Al的掺入可能在GeO2晶粒中引入了新缺陷能级,从而产生494 nm这一特殊的发光带,同时Al的掺入也提高了398 nm发光峰的发光效率。
- 陈虎王加贤张培
- 关键词：光致发光PL谱磁控溅射
- 微电子封装材料的最新进展被引量：22
- 2008年
- 总结了目前几类关键封装材料的发展现状,包括积层多层板、挠性板、无铅焊料、电子浆料等,指出了发展中存在的主要问题,并对国内外的生产研发情况和未来的发展趋势进行了概述。指出积层多层板和挠性板适应未来三维形式的封装,是21世纪基板材料的主流,其技术走向是进一步简化工艺和降低成本;无铅焊料满足环保要求,但现在成本仍偏高;导电胶可能将成为替代焊接技术的新型低温连接材料。
- 陈军君傅岳鹏田民波
- 关键词：封装材料积层多层板挠性板无铅焊料导电胶
- 银粉形貌与尺寸对导电胶电性能的影响被引量：34
- 2005年
- 从导电性角度考查银粉颗粒形貌和粒径大小对导电胶电阻率的影响.用不同形貌和不同平均粒径的银粉,按相同配方制成导电胶,比较其体电阻率.结果发现不同形貌的银粉体系的电阻率存在数量级上的差异;填充片状银粉的体系电阻率与银粉平均粒径成反比,在5~12 μm内,平均粒径越大电阻率越低.
- 熊胜虎杨荣春吴丹菁郑东风田民波
- 关键词：电子技术导电胶电阻率
- 电子封装用无铅焊料的最新进展被引量：14
- 2006年
- 随着WEEE/RoHS法令的颁布,电子封装行业对于无铅焊接提出了更高的要求。根据国际上对无铅焊料的最新研究进展提出了无铅焊料“三大候选”的概念。总结了目前无铅焊料尚存的三大主要弱点,并对国际上推荐使用的几种无铅焊料的优缺点进行了概述。
- 黄卓张力平陈群星田民波
- 关键词：无铅焊料熔点稳定性
- 对电子产品Al盒体一种腐蚀现象的分析与措施被引量：2
- 2010年
- 对2A12型Al盒体材料湿热试验后出现的一种腐蚀现象进行了观察和分析。采用X射线光电子能谱分析(XPS)的方法,对发生腐蚀的材料进行了成分分析,并进行了多种不同型号Al材料的比较试验。通过实验和分析,基本确认了腐蚀的产生是由电化学反应引起的,并指出了此腐蚀现象是由三防漆脱落造成Al表面和湿热环境直接接触引起的。增加Al盒体材料上的三防漆喷涂次数和增加涂层厚度的试验表明,加厚涂层能够使盒体承受更加严酷的湿热条件,是解决该腐蚀现象的途径之一。同时提出了防止三防漆划伤的改进措施,并对今后盒体材料的选取提出了建议。
- 韩建栋李伟梁淑燕刘红兵
- 关键词：电化学湿热
- 无铅焊接工艺及失效分析被引量：8
- 2006年
- 综述了目前无铅焊接工艺回流焊和波峰焊的工艺特点,指出了焊接中存在的几大主要失效问题,包括开裂、焊点空洞、晶须和板材胀裂,并介绍了避免或减弱这些失效问题的方法。
- 黄卓杨俊张力平陈群星田民波
- 关键词：电子技术无铅焊料开裂晶须
