国家高技术研究发展计划(2006AA03A144)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 相关作者：徐永宽王如杨瑞霞杨巍于祥潞更多>>
- 相关机构：河北工业大学中国电子科技集团中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 射频溅射ZnO作缓冲层的HVPE法生长GaN厚膜被引量：1
- 2009年
- 在低温HVPE-GaN/c-Al2O3模板上射频溅射ZnO作为缓冲层,采用氢化物气相外延(HVPE,hydridevapoarphaseepitaxy)法外延生长了高质量的GaN320μm厚膜。用高分辨率双晶X射线衍射仪(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了制备的GaN厚膜特性。结果表明,GaN(0002)面的X射线摇摆曲线衍射峰半高宽(FWHM)为336.15arcsec,穿透位错密度(TDD)为107cm-2,外延生长的GaN厚膜晶体质量较好,可以作为自支撑GaN衬底。
- 王如杨瑞霞徐永宽牟村魏伟
- 关键词：ZNO
- 蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究被引量：3
- 2008年
- 通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺。工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌。发现不采用成核层直接生长的GaN表面粗糙为多晶,而采用低温成核层所得到的GaN表面随着Ⅴ/Ⅲ比由大到小,从包状表面向坑状表面过渡,通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ,可以得到表面光滑、无色透明的GaN。其XRD摇摆曲线半高宽为450 arcs,表面粗糙度为0.9 nm。
- 徐永宽程红娟杨巍于祥潞赖占平严如岳
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延表面形貌
- 射频溅射ZnO作为GaN厚膜生长缓冲层的工艺研究
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能。实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了(0002)单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高宽(FWHM)为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带。
- 王如杨瑞霞张俊玲徐永宽
- 关键词：晶格失配射频磁控溅射
