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国家高技术研究发展计划(2006AA03A144)

作品数：3 被引量：4H指数：1
相关作者：徐永宽王如杨瑞霞杨巍于祥潞更多>>
相关机构：河北工业大学中国电子科技集团中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

领域

  • 11个电子电信
  • 9个理学
  • 6个金属学及工艺
  • 6个一般工业技术
  • 5个化学工程
  • 5个机械工程
  • 5个电气工程
  • 3个医药卫生
  • 3个文化科学
  • 1个经济管理
  • 1个天文地球
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  • 1个冶金工程
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  • 1个自动化与计算...
  • 1个建筑科学
  • 1个轻工技术与工...
  • 1个交通运输工程
  • 1个环境科学与工...
  • 1个政治法律

主题

  • 10个气相外延
  • 10个氢化物气相外...
  • 10个HVPE
  • 10个表面形貌
  • 10个衬底
  • 8个氮化镓
  • 8个蓝宝
  • 8个蓝宝石
  • 6个单晶
  • 6个氮化
  • 6个射频溅射
  • 6个碳化硅
  • 6个缓冲层
  • 6个溅射
  • 4个衍射
  • 4个射频磁控
  • 4个射频磁控溅射
  • 4个射线衍射
  • 4个晶格
  • 4个晶格失配

机构

  • 6个河北工业大学
  • 6个中国电子科技...
  • 2个天津大学
  • 2个电子工业部
  • 2个中华人民共和...
  • 2个天津电子材料...
  • 1个河北工学院
  • 1个邯郸学院
  • 1个天津职业大学
  • 1个天津铁道职业...
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国电子科技...
  • 1个电子部
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国电子科技...

资助

  • 11个国家高技术研...
  • 7个国家自然科学...
  • 5个河北省自然科...
  • 4个国家重点基础...
  • 4个天津市自然科...
  • 3个中国博士后科...
  • 2个天津市科技计...
  • 2个国家科技重大...
  • 2个国家部委资助...
  • 2个国家教育部博...
  • 2个河北省科技计...
  • 2个中国人民解放...
  • 1个高等学校骨干...
  • 1个国防基础科研...
  • 1个国防科技技术...
  • 1个国防科技重点...
  • 1个教育部留学回...
  • 1个天津市教委基...
  • 1个天津市应用基...
  • 1个天津市教育科...

传媒

  • 8个半导体技术
  • 6个微纳电子技术
  • 5个光电子．激光
  • 4个功能材料
  • 4个人工晶体学报
  • 4个河北工业大学...
  • 4个固体电子学研...
  • 4个材料科学与工...
  • 3个硅酸盐学报
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  • 3个功能材料与器...
  • 3个压电与声光
  • 2个稀有金属材料...
  • 2个半导体情报
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  • 2个物理学报
  • 2个红外技术
  • 2个现代仪器
  • 1个分析化学
  • 1个传感器世界

地区

  • 11个天津市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
徐永宽
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：HVPE GAN 氮化镓 氢化物气相外延 DAST
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王如
供职机构：河北工业大学
研究主题：抛光液 化学机械抛光 SM 磁性能 生物医学材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨瑞霞
供职机构：河北工业大学
研究主题：砷化镓 GAAS 太阳电池 磷化铟 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于祥潞
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：HVPE 蓝宝石衬底 成核 表面形貌 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张俊玲
供职机构：天津职业大学
研究主题：工程造价 工程项目 工程造价专业 商品混凝土行业 板单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏伟
供职机构：河北工业大学信息工程学院
研究主题：磁控溅射 衬底温度 表面形貌 ZNO薄膜 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牟村
供职机构：河北工业大学信息工程学院
研究主题：磁控溅射 衬底温度 表面形貌 光致发光 结构和光学特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨巍
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：成核 表面形貌 HVPE 氮化镓 蓝宝石衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程红娟
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：晶体 HVPE 氮化镓 DAST 单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赖占平
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：砷化镓 GAAS单晶 半绝缘砷化镓 集成电路 SI-GAAS材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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