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国家自然科学基金(19775062)

作品数：2 被引量：8H指数：1
相关作者：林成鲁沈勤我多新中王连卫朱剑豪更多>>
相关机构：中国科学院上海冶金研究所香港城市大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划上海市科学技术发展基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇低功耗
  • 1篇低功耗电路
  • 1篇低压
  • 1篇低压电
  • 1篇低压电路
  • 1篇电路
  • 1篇多孔硅
  • 1篇绝缘层
  • 1篇绝缘层上硅
  • 1篇集成电路
  • 1篇功耗

机构

  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇香港城市大学

作者

  • 2篇林成鲁
  • 1篇刘卫丽
  • 1篇朱剑豪
  • 1篇王连卫
  • 1篇多新中
  • 1篇沈勤我

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅
2001年
采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅 ,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响。采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构 ,截面透射电镜表征材料的微结构 ,原子力显微镜表征外延层表面的粗糙度 ,卢瑟福背散射 /沟道表征外延层晶体质量 ,扩展电阻表征材料的电学性能。一系列的测试结果表明对于在 5mA/cm2 电流密度下阳极氧化 10min形成的多孔硅衬底 。
刘卫丽多新中张苗沈勤我王连卫林成鲁朱剑豪
关键词：多孔硅单晶硅
低压、低功耗SOI电路的进展被引量：8
2000年
最近 IBM公司在利用 SOI(Silicon- on- insulator)技术制作计算机中央处理器 (CPU)方面取得了突破性的进展 ,该消息轰动了全世界。SOI电路最突出的优点是能够实现低驱动电压、低功耗。文中介绍了市场对低压、低功耗电路的需求 ,分析了 SOI低压、低功耗电路的工作原理 ,综述了当前国际上 SOI低压、低功耗电路的发展现状。
多新中张苗符晓荣王连卫林成鲁
关键词：绝缘层上硅低功耗电路集成电路低压电路
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