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国家高技术研究发展计划(2002AA404500)

作品数:6 被引量:16H指数:2
相关作者:刘理天任天令于毅杨轶张宁欣更多>>
相关机构:清华大学电子科技大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 5篇铁电
  • 5篇铁电薄膜
  • 4篇溶胶
  • 3篇硅基
  • 3篇PZT铁电薄...
  • 2篇氮化铝
  • 2篇氮化铝薄膜
  • 2篇压电传声器
  • 2篇有限元
  • 2篇有限元分析
  • 2篇溶胶凝胶
  • 2篇退火
  • 2篇退火制度
  • 2篇钛酸铅
  • 2篇锆钛酸铅
  • 2篇刻蚀
  • 2篇胶凝
  • 2篇AIN薄膜
  • 2篇ALN薄膜
  • 2篇ANSYS

机构

  • 9篇清华大学
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 9篇任天令
  • 9篇刘理天
  • 4篇张宁欣
  • 4篇杨轶
  • 3篇于毅
  • 2篇赵宏锦
  • 2篇张林涛
  • 2篇侯生根
  • 1篇王刚
  • 1篇张国俊
  • 1篇翟亚红
  • 1篇束平
  • 1篇曹江田
  • 1篇王姝娅
  • 1篇钟志亲
  • 1篇戴丽萍

传媒

  • 4篇仪器仪表学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇首届信息的获...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2005
  • 8篇2003
6 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究
2011年
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量为25 cm3/min(其中SF6∶Ar为20∶5)时刻蚀效果最优。利用优化后的工艺条件制作出可用于铁电存储器的铁电电容并测试其电学特性,得到了较理想的电滞回线和漏电流。
束平王姝娅张国俊戴丽萍翟亚红王刚钟志亲曹江田
关键词:PZT薄膜深反应离子刻蚀刻蚀速率铁电电容
压电微传声器的有限元分析
利用ANSYS软件建立了压电微传声器的有限元模型,对器件进行了结构静力分析、模态分析、谐波分析,计算模拟出微传声器的本征频率。通过模拟和分析,对压电传声器的设计参数进行了优化。对比表明,有限元分析的结果与解析方法以及实验...
杨轶张林涛任天令刘理天
关键词:压电传声器有限元分析ANSYS
文献传递
集成铁电器件中的关键工艺研究
对集成铁电器件中的关键工艺进行了研究,采用改进的溶胶—凝胶(Sol-Gel)法制备了高品质、(110)择优取向的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜,成功的利用离子束刻蚀(IBE)、反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀方法对PZT薄膜...
杨轶张宁欣任天令刘理天
关键词:铁电薄膜锆钛酸铅刻蚀
文献传递
硅基AlN薄膜制备技术与测试分析被引量:9
2005年
采用直流磁控反应溅射法 ,在Si(10 0 ) ,Al/Si(10 0 )和Pt/Ti/Si(10 0 )等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜 .用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析 ,通过优化工艺参数 ,得到了提高薄膜择优取向的方法 ,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理 .制备的AlN薄膜显示出良好的〈0 0 2〉择优取向性 ,摇摆曲线的半高宽达到 5 6° .
于毅任天令刘理天
关键词:AIN薄膜直流磁控反应溅射
硅基AIN薄膜的成分与表面分析
采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基A1N薄膜。用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析。
于毅赵宏锦任天令刘理天
关键词:氮化铝薄膜表面形貌
文献传递
退火制度对PZT铁电薄膜性能的影响被引量:2
2003年
铁电薄膜的性质对于硅基MEMS器件有重要的影响,鉴于此本文尝试通过改善退火工艺以提高PZT薄膜的铁电和压电性质。采用溶胶凝胶法,在Si/SiO_2/Ti/Pt衬底上制备了PZT铁电薄膜。实验中,采用一次退火工艺和每层退火工艺制备了两种PZT薄膜,采用XRD对薄膜的晶体结构进行分析,通过C—V和I—V特性的研究发现,每层退火工艺有助于提高PZT薄膜的C—V性质,并降低漏导电流。
张宁欣侯生根任天令刘理天
关键词:溶胶凝胶
硅基AlN薄膜的成分与表面分析被引量:1
2003年
采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基AlN薄膜。用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析。
于毅赵宏锦任天令刘理天
关键词:氮化铝薄膜表面形貌
集成铁电器件中的关键工艺研究被引量:3
2003年
对集成铁电器件中的关键工艺进行了研究,采用改进的溶胶—凝胶(Sol-Gel)法制备了高品质、(110)择优取向的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜,成功的利用离子束刻蚀(IBE)、反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀方法对PZT薄膜进行了刻蚀加工,采用正胶剥离和干法刻蚀工艺实现了金属铂(Pt)电极图形,为集成铁电器件的实现提供了良好的工艺基础。
杨轶张宁欣任天令刘理天
关键词:铁电薄膜锆钛酸铅溶胶-凝胶
压电微传声器的有限元分析被引量:2
2003年
利用ANSYS软件建立了压电微传声器的有限元模型,对器件进行了结构静力分析、模态分析、谐波分析,计算模拟出微传声器的本征频率。通过模拟和分析,对压电传声器的设计参数进行了优化。对比表明,有限元分析的结果与解析方法以及实验结果相一致。
杨轶张林涛任天令刘理天
关键词:压电传声器有限元分析ANSYS
退火制度对PZT铁电薄膜性能的影响
铁电薄膜的性质对于硅基MEMS器件有重要的影响,鉴于此本文尝试通过改善退火工艺以提高PZT薄膜的铁电和压电性质。采用溶胶凝胶法,在Si/SiO/Ti/Pt衬底上制备了PZT铁电薄膜。实验中,采用一次退火工艺和每层退火工艺...
张宁欣侯生根任天令刘理天
关键词:溶胶凝胶
文献传递
共1页<1>
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