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国家高技术研究发展计划(2002AA404500)

作品数:6 被引量:16H指数:2
相关作者:刘理天任天令于毅杨轶张宁欣更多>>
相关机构:清华大学电子科技大学更多>>
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领域

  • 16个电子电信
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主题

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  • 10个有限元分析
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  • 6个氮化硅薄膜
  • 4个导通
  • 4个导通电阻

机构

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  • 1个中国电子科技...
  • 1个西北机电工程...
  • 1个中国人民解放...
  • 1个中国科学院大...

资助

  • 16个国家高技术研...
  • 13个国家重点基础...
  • 12个国家自然科学...
  • 7个电子薄膜与集...
  • 5个中央高校基本...
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  • 2个国家重点实验...
  • 2个美国国家自然...
  • 1个北京市自然科...
  • 1个高等学校骨干...

传媒

  • 15个压电与声光
  • 8个科学通报
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  • 7个微纳电子技术
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  • 6个首届信息的获...
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  • 5个电子科技大学...
  • 5个电子元件与材...
  • 5个中国集成电路
  • 5个第八届敏感元...
  • 4个电子学报
  • 4个中国机械工程
  • 4个材料导报
  • 4个电子器件
  • 4个科学技术与工...

地区

  • 8个北京市
  • 7个四川省
  • 1个陕西省
16 条 记 录,以下是 1-10
刘理天
供职机构:清华大学
研究主题:MEMS 硅基 压力传感器 硅 微机械
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任天令
供职机构:清华大学
研究主题:铁电 电极 铁电薄膜 铁电存储器 PZT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨轶
供职机构:清华大学
研究主题:电极 场效应晶体管 石墨烯 铁电薄膜 铁电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张宁欣
供职机构:清华大学
研究主题:铁电薄膜 MEMS 压电薄膜 锆钛酸铅 PZT铁电薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于毅
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:氮化铝薄膜 ALN薄膜 直流磁控反应溅射 硅基 ALN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵宏锦
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:硅基 氮化铝薄膜 刻蚀 直流磁控反应溅射 ALN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王刚
供职机构:电子科技大学
研究主题:微波介质陶瓷材料 微波介质陶瓷 低损耗 非高斯噪声 功能陶瓷材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
侯生根
供职机构:清华大学
研究主题:PZT铁电薄膜 退火制度 溶胶凝胶 退火工艺 铁电薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
束平
供职机构:中国电子科技集团第二十九研究所
研究主题:LTCC基板 焊盘 微电铸 反应离子刻蚀 刻蚀速率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张林涛
供职机构:清华大学
研究主题:铁电薄膜 微麦克风 PZT 铁电 扬声器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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