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国家高技术研究发展计划(2001AA312180)

作品数:9 被引量:24H指数:3
相关作者:谭满清侯识华陈良惠孙永伟赵鼎更多>>
相关机构:中国科学院中国科学院电子学研究所清华大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

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27 条 记 录,以下是 1-10
谭满清
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:超辐射发光二极管 淀积 垂直腔面发射激光器 腔面 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
侯识华
供职机构:华南理工大学
研究主题:垂直腔面发射激光器 晶片键合 有限差分法 可调谐光滤波器 微机械
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈良惠
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体激光器 光子晶体 激光器 垂直腔面发射激光器 量子阱激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵鼎
供职机构:中国科学院电子学研究所
研究主题:垂直腔面发射激光器 晶片键合 有限差分法 热学特性 反射相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙永伟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:垂直腔面发射激光器 晶片键合 有限差分法 分子束外延 焦平面阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴旭明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:垂直腔面发射激光器 欧姆接触 可调谐滤波器 调谐滤波器 砷化镓衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王青
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:垂直腔面发射激光器 高功率 热沉 反射谱 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何国荣
供职机构:深圳信息职业技术学院
研究主题:键合 垂直腔面发射激光器 晶片 氮化镓 DBR
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹玉莲
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:INAS/GASB 红外探测器 P型掺杂 GAAS 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗毅
供职机构:清华大学
研究主题:GAN 发光二极管 氮化镓 波导 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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