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国家自然科学基金(60890191)

作品数：28 被引量：20H指数：2
相关作者：郝跃张进成刘新宇薛军帅魏珂更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院微电子研究所工业和信息化部更多>>
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地区

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共 42 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 势垒层 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛军帅
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：绝缘栅 欧姆接触 高电子迁移率晶体管 共振隧穿二极管 势垒层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许晟瑞
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 非极性 GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
欧新秀
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：非极性 MOCVD GAN薄膜 衬底 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周勇波
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：二维电子气 晶格匹配 迁移率 GAN材料 C轴
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王昊
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：MOCVD 衬底 捕获性能 GAN 高阶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王平亚
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：二维电子气 晶格匹配 迁移率 高电子迁移率 GAN材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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