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国家自然科学基金(60876061)

作品数：20 被引量：19H指数：2
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地区

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共 13 条 记 录，以下是 1-10
张玉明
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张义门
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC MESFET 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤晓燕
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苗瑞霞
供职机构：西安邮电大学
研究主题：4H-SIC SIC 位错 双栅 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王悦湖
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 碳化硅衬底 掺杂 电池
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程萍
供职机构：宁波大红鹰学院
研究主题：4H-SIC 本征缺陷 淀积 MOS电容 样片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭辉
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：样片 退火 石墨烯 欧姆接触电极 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾仁需
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SUB PBI 碳化硅 衬底 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张倩
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：4H-SIC SIC 基区渡越时间 双极晶体管 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马仲发
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：光电耦合器件 MOSFET GAALAS 红外发光二极管 G-R噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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