您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(60576007)

作品数:11 被引量:15H指数:3
相关作者:于奇杜江锋周伟杨谟华卢盛辉更多>>
相关机构:电子科技大学专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信机械工程理学一般工业技术更多>>

领域

  • 20个电子电信
  • 11个机械工程
  • 11个理学
  • 10个自动化与计算...
  • 8个电气工程
  • 7个一般工业技术
  • 5个化学工程
  • 5个文化科学
  • 3个核科学技术
  • 3个自然科学总论
  • 2个金属学及工艺
  • 2个水利工程
  • 2个交通运输工程
  • 2个环境科学与工...
  • 1个经济管理
  • 1个天文地球
  • 1个石油与天然气...
  • 1个动力工程及工...
  • 1个航空宇航科学...

主题

  • 17个晶体管
  • 16个迁移率
  • 15个电子迁移率
  • 14个氮化镓
  • 14个电场
  • 13个电阻
  • 13个势垒
  • 12个氮化
  • 12个电场分布
  • 12个电流崩塌
  • 11个电流
  • 11个电路
  • 11个电学
  • 10个电流崩塌效应
  • 8个导通
  • 8个导通电阻
  • 8个电极
  • 7个氮化铝
  • 7个电荷
  • 6个低功耗

机构

  • 19个电子科技大学
  • 3个中国电子科技...
  • 3个专用集成电路...
  • 1个河北半导体研...
  • 1个四川大学
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国电子科技...

资助

  • 21个国家自然科学...
  • 10个国家重点基础...
  • 6个国防科技重点...
  • 6个国家教育部博...
  • 5个电子薄膜与集...
  • 4个模拟集成电路...
  • 3个国家重点实验...
  • 2个国防科技技术...
  • 2个国家高技术研...
  • 2个武器装备预研...
  • 2个中央高校基本...
  • 1个广东省自然科...
  • 1个国防基金
  • 1个吉林省科技发...
  • 1个山东省自然科...
  • 1个浙江省自然科...
  • 1个中国博士后科...
  • 1个天津市自然科...
  • 1个广西壮族自治...
  • 1个电子测试技术...

传媒

  • 14个微纳电子技术
  • 13个半导体技术
  • 10个Journa...
  • 10个固体电子学研...
  • 10个微电子学
  • 10个真空科学与技...
  • 9个材料导报
  • 7个功能材料
  • 7个第十五届全国...
  • 7个四川省电子学...
  • 6个物理学报
  • 6个电子科技大学...
  • 6个仪表技术与传...
  • 6个半导体光电
  • 6个第十五届全国...
  • 5个电子元件与材...
  • 4个计量学报
  • 4个传感技术学报
  • 4个电子器件
  • 4个第十七届全国...

地区

  • 17个四川省
  • 4个河北省
21 条 记 录,以下是 1-10
于奇
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜江锋
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 异质结场效应晶体管 肖特基接触 势垒 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:电流崩塌 表面态 CMOS SIGE GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周伟
供职机构:电子科技大学
研究主题:表面态 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 氮化镓 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢盛辉
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:电流崩塌 场板 ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 表面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗谦
供职机构:电子科技大学
研究主题:肖特基接触 击穿特性 导通 HEMT器件 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏建新
供职机构:电子科技大学
研究主题:GAN 表面态 电流崩塌 高电子迁移率晶体管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴强
供职机构:电子科技大学
研究主题:微加速度计 非线性模型 电容式微加速度计 MLCC 热应力分析
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
靳翀
供职机构:电子科技大学
研究主题:表面态 电流崩塌 GAN 高电子迁移率晶体管 电场分布
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵金霞
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:GAN 功率器件 GA2O3 金刚石 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共3页<123>
聚类工具0