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国家重点基础研究发展计划(G2000036501)

作品数:12 被引量:13H指数:3
相关作者:张兴黄如田立林李志坚王曦更多>>
相关机构:北京大学清华大学中国科学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

  • 32个电子电信
  • 18个理学
  • 17个自动化与计算...
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  • 10个电气工程
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  • 1个建筑科学
  • 1个轻工技术与工...

主题

  • 20个英文
  • 20个晶体管
  • 20个SOI
  • 20个场效应
  • 20个衬底
  • 19个场效应晶体管
  • 18个电路
  • 18个沟道
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  • 16个多晶硅
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  • 14个自热效应
  • 12个DSOI
  • 10个热导率
  • 9个等离子体
  • 8个氮化
  • 7个单片
  • 7个单片集成
  • 7个氮化硅
  • 6个氮离子注入

机构

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  • 12个清华大学
  • 9个中国科学院
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  • 2个中国科学院微...
  • 2个中国科学院微...
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  • 1个华东理工大学
  • 1个吉首大学
  • 1个西安微电子技...
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  • 1个苏州大学
  • 1个加利福尼亚大...
  • 1个天津大学
  • 1个中国工程物理...
  • 1个江苏理工大学

资助

  • 32个国家重点基础...
  • 28个国家自然科学...
  • 11个国家高技术研...
  • 7个国家科技重大...
  • 7个国家教育部博...
  • 6个国家杰出青年...
  • 5个中国博士后科...
  • 5个“九五”国家...
  • 5个国家重点实验...
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传媒

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  • 11个电子学报
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  • 11个第十一届全国...
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  • 9个微电子学
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  • 8个清华大学学报...
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  • 7个电子器件
  • 6个微电子学与计...
  • 6个微细加工技术
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  • 6个微纳电子技术
  • 5个仪器仪表学报
  • 5个物理
  • 5个中国科学(E...

地区

  • 29个北京市
  • 2个上海市
  • 1个广东省
32 条 记 录,以下是 1-10
黄如
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 沟道 存储器 晶体管 超大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张兴
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 集成电路 沟道 电路 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田立林
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:MOSFET SOI 英文 DSOI 解析模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李志坚
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:微机械 MEMS 硅 铁电薄膜 微麦克风
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何平
供职机构:清华大学经济管理学院
研究主题:DSOI SOI 流动性 自热效应 超硬刀具
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构:清华大学
研究主题:衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘理天
供职机构:清华大学
研究主题:MEMS 硅基 压力传感器 硅 微机械
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈猛
供职机构:清华大学
研究主题:SOI 注氧隔离 高温退火 低剂量 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董业明
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI DSOI 自热效应 热阻 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于民
供职机构:北京大学信息科学技术学院微米纳米加工技术国家重点实验室
研究主题:硅 分子动力学 离子注入 探测器 串扰
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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