您的位置： 专家智库 > >

国家自然科学基金(61334002)

作品数：35 被引量：29H指数：2
相关作者：张进成过润秋冯兰胜段宝兴杨银堂更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

领域

  • 25个电子电信
  • 15个自动化与计算...
  • 12个电气工程
  • 12个理学
  • 11个一般工业技术
  • 10个化学工程
  • 9个文化科学
  • 8个经济管理
  • 8个金属学及工艺
  • 7个机械工程
  • 5个医药卫生
  • 2个交通运输工程
  • 2个航空宇航科学...
  • 2个自然科学总论
  • 1个哲学宗教
  • 1个矿业工程
  • 1个石油与天然气...
  • 1个水利工程
  • 1个轻工技术与工...
  • 1个核科学技术

主题

  • 21个晶体管
  • 19个场效应
  • 18个迁移率
  • 17个电路
  • 17个电子迁移率
  • 17个电阻
  • 17个HEMT
  • 16个氮化镓
  • 16个淀积
  • 16个金属
  • 14个增强型
  • 13个导通
  • 13个导通电阻
  • 13个电荷
  • 11个带隙
  • 11个信号
  • 10个氮化
  • 9个氮化铝
  • 9个导体
  • 8个低通

机构

  • 17个西安电子科技...
  • 8个中国科学院微...
  • 3个电子科技大学
  • 3个中国科学院
  • 2个教育部
  • 2个中国科学院大...
  • 1个宝鸡文理学院
  • 1个北京大学
  • 1个南昌大学
  • 1个长安大学
  • 1个上海交通大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个浙江大学
  • 1个西北电讯工程...
  • 1个武汉理工大学
  • 1个国家国防科技...
  • 1个杭州士兰微电...

资助

  • 25个国家自然科学...
  • 12个国家重点基础...
  • 9个陕西省自然科...
  • 6个国家杰出青年...
  • 6个国家科技重大...
  • 5个国防科技技术...
  • 5个中国博士后科...
  • 5个中央高校基本...
  • 4个国家高技术研...
  • 3个国防科技重点...
  • 3个国际科技合作...
  • 3个国家部委预研...
  • 3个国家教育部博...
  • 3个西安应用材料...
  • 3个香港创新及科...
  • 3个香港特区政府...
  • 3个中国科学院知...
  • 2个国防基础科研...
  • 2个教育部科学技...
  • 2个军事电子预研...

传媒

  • 11个物理学报
  • 11个微电子学
  • 10个半导体技术
  • 8个微电子学与计...
  • 6个人工晶体学报
  • 5个Journa...
  • 5个电子学报
  • 5个西安电子科技...
  • 5个中国科学：物...
  • 4个科学中国人
  • 4个科学通报
  • 4个红外与毫米波...
  • 4个电力电子技术
  • 4个电子器件
  • 4个功能材料与器...
  • 3个电子与信息学...
  • 3个光子学报
  • 3个红外技术
  • 3个半导体光电
  • 3个电子与封装

地区

  • 15个陕西省
  • 10个北京市
共 25 条 记 录，以下是 1-10
张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 势垒层 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
过润秋
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：空场 场板 化合物半导体材料 复合场 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨银堂
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：硅 片上网络 电路 CMOS 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段宝兴
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 漂移区 晶体管 纵向电场 场效应管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯兰胜
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：铝 基片 GAN 反应动力学 流场分析
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹震
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场效应管 金属氧化物半导体 击穿电压 多数载流子 半绝缘多晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁小宁
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 表面电场 场效应管 电场分布 JUNCTION
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙朋朋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：数字移相器 X波段 低通 PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
耿苗
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：数字移相器 PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 开关器件 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁静
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：石墨烯 氮化镓 氮化铝 氮化镓薄膜 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0