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国家高技术研究发展计划(2005AA404210)

作品数：13 被引量：37H指数：4
相关作者：陈大鹏叶甜春欧毅焦斌斌黄钦文更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学技术大学北京信息技术应用研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

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共 32 条 记 录，以下是 1-10
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
欧毅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化硅薄膜 刻蚀 MEMS 牺牲层 微机电系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄钦文
供职机构：信息产业部电子第五研究所
研究主题：加速度计 随动 微悬臂梁 校准 转台
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦斌斌
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：平面阵列 非制冷红外成像 焦平面阵列 芯片 红外成像
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李超波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 氧化锌薄膜 离子注入 等离子体 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
景玉鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅片 气敏传感器 光刻胶 刻蚀 临界态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石莎莉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 控制部件 氮化硅薄膜 牺牲层 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董立军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 氮化硅薄膜 红外焦平面阵列 纳米孔 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张青川
供职机构：中国科学技术大学
研究主题：光学读出 微悬臂梁 非制冷红外成像 动态应变时效 焦平面阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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