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国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)

作品数:19 被引量:18H指数:2
相关作者:张钢刚郝跃马晓华何燕冬张凯更多>>
相关机构:北京大学西安电子科技大学教育部更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学自动化与计算机技术更多>>

领域

  • 22个电子电信
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主题

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  • 11个电子迁移率
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  • 11个ALGAN/...
  • 10个电流
  • 10个电容
  • 9个应力
  • 6个电流镜
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机构

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  • 10个北京大学
  • 5个教育部
  • 1个宝鸡文理学院
  • 1个电子科技大学
  • 1个长安大学
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  • 1个浙江大学
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资助

  • 22个国家重点基础...
  • 13个国家自然科学...
  • 6个中央高校基本...
  • 5个国家杰出青年...
  • 4个国防科技技术...
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  • 1个北京市自然科...
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传媒

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  • 2个科学通报
  • 2个计算机辅助设...

地区

  • 13个陕西省
  • 9个北京市
22 条 记 录,以下是 1-10
张钢刚
供职机构:北京大学
研究主题:反相器 电路 漏极 ESD保护电路 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马晓华
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:电极 势垒层 高电子迁移率晶体管 栅电极 氧化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何燕冬
供职机构:北京大学
研究主题:MOS器件 沟道 漏极 阈值电压 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马骥刚
供职机构:西安电子科技大学技术物理学院
研究主题:KINK效应 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 场效应器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭星
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:KINK效应 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卓青青
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:SOI NMOS器件 总剂量效应 总剂量 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张雪琳
供职机构:北京大学
研究主题:ESD保护电路 CML 半导体集成 漏电电流 箝位电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张凯
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:全色图像 SAR图像 变化检测 多光谱图像 遥感图像融合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆光易
供职机构:北京大学
研究主题:ESD保护电路 静电放电保护 集成电路芯片 触发模块 静电放电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共3页<123>
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