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国家自然科学基金(61076097)

作品数：22 被引量：22H指数：3
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机构

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地区

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共 15 条 记 录，以下是 1-10
刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 抗辐照 集成电路 栅氧化层 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卓青青
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：NMOS器件 SOI 总剂量效应 总剂量 总剂量辐照效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡惠民
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量辐照效应 碰撞电离 参考源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨兆年
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：CMOS工艺 静电放电 箝位电路 碰撞电离 ESD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭里
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：SOI PD_SOI NMOS器件 NMOS 总剂量辐照效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：SOI NMOS器件 沟道长度 跨导 单粒子效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹磊
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：隐私 势垒 SOI_MOSFET 高K栅介质 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高博
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：P-I-N MESH结构 边界值 灰度值 互连线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李立
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：SIGE 存储电荷 SIGE_HBT 异质结双极晶体管 PSPICE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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