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国家重点基础研究发展计划(2006CB302701)

作品数:6 被引量:11H指数:2
相关作者:黄如张兴海潮和毕津顺韩郑生更多>>
相关机构:北京大学中国科学院微电子研究所山东师范大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学更多>>

领域

  • 15个电子电信
  • 11个自动化与计算...
  • 10个理学
  • 8个化学工程
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  • 7个一般工业技术
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  • 1个建筑科学
  • 1个环境科学与工...
  • 1个自然科学总论

主题

  • 14个电路
  • 12个多晶
  • 12个多晶硅
  • 12个多晶硅栅
  • 11个氮化
  • 11个电流
  • 11个纳米
  • 10个电压
  • 10个电阻
  • 8个氮化硅
  • 8个低功耗
  • 8个电路技术
  • 8个电学
  • 8个电学特性
  • 8个叠层
  • 7个单晶
  • 6个单晶硅
  • 6个导体
  • 5个氮化镓
  • 4个氮化物

机构

  • 10个北京大学
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  • 3个山东师范大学
  • 3个中国科学院微...
  • 1个华东理工大学
  • 1个西安微电子技...
  • 1个山东大学
  • 1个上海交通大学
  • 1个西安交通大学
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  • 1个江苏理工大学
  • 1个中国科学院研...
  • 1个中国工商银行...
  • 1个陕西微电子学...
  • 1个中国科学院微...
  • 1个中国科学院大...

资助

  • 15个国家重点基础...
  • 15个国家自然科学...
  • 4个国家高技术研...
  • 4个国家教育部博...
  • 3个国家科技重大...
  • 2个高等学校国家...
  • 1个北京市自然科...
  • 1个广东省自然科...
  • 1个国防基础科研...
  • 1个国防科技重点...
  • 1个国家科技支撑...
  • 1个国家留学基金
  • 1个江苏省自然科...
  • 1个美国国家科学...
  • 1个山东省科委基...
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  • 1个山东省自然科...
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传媒

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  • 3个第十五届全国...
  • 2个材料科学与工...
  • 2个世界科技研究...

地区

  • 13个北京市
  • 2个山东省
15 条 记 录,以下是 1-10
韩郑生
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄如
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 沟道 存储器 晶体管 超大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
海潮和
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 英文 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张兴
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 集成电路 沟道 电路 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕津顺
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 沟道 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛守斌
供职机构:北京大学
研究主题:CMOS器件 抗辐照 辐照 集成电路 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
单晓楠
供职机构:北京大学
研究主题:半导体存储器 闪存 浮栅 存储密度 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王逸群
供职机构:北京大学
研究主题:衬底 超大规模集成电路 氨基 家系 寄生电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田豫
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 超大规模集成电路 刻蚀 栅结构 新器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡一茂
供职机构:北京大学
研究主题:存储器 衬底 超大规模集成电路 浮栅 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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