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国家重点基础研究发展计划(2006CB302704)

作品数：6 被引量：10H指数：1
相关作者：徐秋霞周华杰许高博刘明李海欧更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

领域

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主题

  • 11个等效氧化层厚...
  • 11个氧化层
  • 11个氧化层厚度
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  • 10个应力
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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 11个北京市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
徐秋霞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周华杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 鳍片 自顶向下 沟道效应 硅化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许高博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 介质层 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王大海
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 GAN 半导体器件 晶圆片 散热能力
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘海华
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：应变硅 磁畴 坡莫合金 PMOSFET 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱鹤
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：英文 SOI 刻蚀 自对准硅化物 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李海欧
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：EOT CMOS器件 CMOS 压应力 等效氧化层厚度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宝钦
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 电子束曝光 电子束直写 抗蚀剂 电子束
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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共2页<12>
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