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国家自然科学基金(10964016)

作品数：12 被引量：15H指数：3
相关作者：杨宇王茺李亮杨杰靳映霞更多>>
相关机构：云南大学中国科学院昆明理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目云南省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术更多>>

领域

  • 18个电子电信
  • 15个理学
  • 11个一般工业技术
  • 8个电气工程
  • 8个自动化与计算...
  • 7个金属学及工艺
  • 6个化学工程
  • 6个文化科学
  • 5个经济管理
  • 5个机械工程
  • 4个建筑科学
  • 4个环境科学与工...
  • 3个冶金工程
  • 3个医药卫生
  • 2个哲学宗教
  • 2个生物学
  • 2个天文地球
  • 2个水利工程
  • 2个农业科学
  • 2个政治法律

主题

  • 13个量子
  • 13个量子点
  • 13个溅射
  • 12个温度
  • 12个纳米
  • 12个表面形貌
  • 11个离子束
  • 11个离子束溅射
  • 10个半导体
  • 10个硅
  • 9个导体
  • 9个锗量子点
  • 7个氮化
  • 6个氮化反应
  • 6个氮化硅
  • 6个氮化硅粉
  • 6个氮化硅粉体
  • 6个低维结构
  • 6个第一性原理
  • 6个第一性原理研...

机构

  • 16个云南大学
  • 5个昆明理工大学
  • 2个复旦大学
  • 2个中国科学院
  • 1个湖南大学
  • 1个湖南工业大学
  • 1个南京大学
  • 1个蒙自师范高等...
  • 1个湘潭大学
  • 1个红河学院
  • 1个武汉理工大学
  • 1个昆明冶研新材...
  • 1个中国科学院上...
  • 1个中国移动通信...

资助

  • 18个国家自然科学...
  • 17个教育部科学技...
  • 15个云南省自然科...
  • 8个云南省教育厅...
  • 7个云南省应用基...
  • 6个国家重点基础...
  • 5个国家重点实验...
  • 4个国家高技术研...
  • 4个南省应用基础...
  • 4个云南省教育厅...
  • 3个云南省应用基...
  • 3个云南省中青年...
  • 3个云南省科技厅...
  • 2个国防基础科研...
  • 2个国家科技支撑...
  • 2个兵器预研支撑...
  • 1个湖南省自然科...
  • 1个上海市自然科...
  • 1个云南省科技攻...
  • 1个中国博士后科...

传媒

  • 15个物理学报
  • 14个功能材料
  • 14个人工晶体学报
  • 11个材料导报
  • 9个红外与毫米波...
  • 8个功能材料与器...
  • 6个红外技术
  • 4个云南大学学报...
  • 4个第七届中国功...
  • 3个物理
  • 3个光谱学与光谱...
  • 3个粉末冶金材料...
  • 2个硅酸盐通报
  • 2个太阳能学报
  • 2个Journa...
  • 2个材料保护
  • 2个云南科技管理
  • 2个云南化工
  • 2个中国有色金属...
  • 2个昆明理工大学...

地区

  • 16个云南省
  • 1个江苏省
  • 1个上海市
共 18 条 记 录，以下是 1-10
杨宇
供职机构：云南大学
研究主题：离子束溅射 磁控溅射 SI GE量子点 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王茺
供职机构：云南大学
研究主题：离子束溅射 量子点 离子注入 GE量子点 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构：云南大学
研究主题：硅基底 生长温度 离子束溅射 半导体低维结构 直流磁控溅射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
靳映霞
供职机构：云南大学
研究主题：硅基底 光催化 半导体低维结构 生长温度 纳米点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨杰
供职机构：昆明理工大学
研究主题：离子束溅射 磷石膏 GE量子点 量子点 量子点材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
鲁植全
供职机构：云南大学
研究主题：RAMAN光谱 表面形貌 量子点 离子束溅射 温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨洲
供职机构：云南大学光电信息材料研究所
研究主题：P-MOSFET 电学特性 绝缘层 X 温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡伟达
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：碲镉汞 陶瓷结合剂 红外探测器 暗电流 长波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张学贵
供职机构：云南大学
研究主题：离子束溅射 GE量子点 硅基底 量子点材料 表面形貌
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王洪涛
供职机构：云南大学光电信息材料研究所
研究主题：P-MOSFET 短沟道效应 FINFET SI1 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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