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国家重点基础研究发展计划(G2002CB311905)

作品数:7 被引量:7H指数:2
相关作者:陈诺夫杨少延刘志凯李艳丽尹志岗更多>>
相关机构:中国科学院中国科学院力学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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地区

  • 12个北京市
12 条 记 录,以下是 1-10
陈诺夫
供职机构:华北电力大学
研究主题:太阳电池 砷化镓 衬底 磁性半导体 多晶硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少延
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志凯
供职机构:中国科学院
研究主题:低能离子束 离子束外延 超高真空 生长温度 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李艳丽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:低能离子束 硅 钆 磁性半导体 FE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋书林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磁性半导体 离子注入 砷化镓 X射线衍射 稀磁半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹志岗
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:六方氮化硼 发光二极管 氮化硼 衬底 SUB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴春林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:多层膜 超高真空 生长温度 离子束外延 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周剑平
供职机构:清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
研究主题:MN 离子注入 介电性能 磁性 X
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张富强
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磁性 稀磁半导体 磁性半导体 铁磁性 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晨龙
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磁性半导体 硅 低能离子束 液相外延生长 采光板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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