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中央高校基本科研业务费专项资金(200807010010)

作品数:3 被引量:10H指数:2
相关作者:刘红侠郝跃李劲袁博卢凤铭更多>>
相关机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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地区

  • 8个陕西省
  • 1个四川省
9 条 记 录,以下是 1-9
刘红侠
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:单粒子 抗辐照 集成电路 栅氧化层 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹湘坤
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:硅 通孔 金属 同轴 电感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李劲
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:SI/SI1-XGEX 反型层 电子迁移率 迁移率模型 SOI_MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢凤铭
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:SI/SI1-XGEX 反型层 电子迁移率 迁移率模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李斌
供职机构:西南科技大学
研究主题:出色 半导体致冷器 光线 限流 调制信号
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘冰洁
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:锗 绝缘层上硅 阈值电压解析模型 应变硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卓青青
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:NMOS器件 SOI 总剂量效应 总剂量 总剂量辐照效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁博
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:乘法器 低功耗 图像 肤色区域 逻辑单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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