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国家高技术研究发展计划(2003AA302750)
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马龙
王良臣
杨富华
张杨
曾一平
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杨富华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
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王良臣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 发光二极管 共振隧穿二极管 RTD
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马龙
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:共振隧穿二极管 GAN 大功率 RTD 发光二极管
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曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
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黄应龙
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:RTD 共振隧穿二极管 HEMT 单片集成 高频
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张杨
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:电子束曝光 高电子迁移率晶体管 生物传感器 锑化物 隔离层
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戴扬
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 RTD INP衬底 单片集成
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余洪敏
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:乘法器 超前进位加法器 FPGA 可重构 英文
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