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株洲中车时代半导体有限公司

作品数：428 被引量：117H指数：6
相关机构：丹尼克斯半导体有限公司中国科学院微电子研究所华北电力大学（北京）更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 346篇专利
  • 72篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 4篇标准

领域

  • 179篇电子电信
  • 32篇自动化与计算...
  • 18篇电气工程
  • 13篇文化科学
  • 10篇经济管理
  • 5篇金属学及工艺
  • 4篇交通运输工程
  • 4篇医药卫生
  • 3篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 117篇半导体
  • 78篇半导体器件
  • 65篇芯片
  • 54篇功率半导体
  • 52篇功率半导体器...
  • 49篇导电类型
  • 38篇IGBT
  • 33篇门极
  • 33篇封装
  • 31篇功率模块
  • 30篇栅极
  • 30篇晶闸管
  • 29篇IGBT模块
  • 27篇碳化硅
  • 27篇槽栅
  • 24篇沟槽
  • 24篇衬板
  • 22篇压接
  • 20篇晶圆
  • 17篇源区

机构

  • 426篇株洲中车时代...
  • 17篇丹尼克斯半导...
  • 6篇中国科学院微...
  • 5篇同济大学
  • 5篇华北电力大学...
  • 5篇国网经济技术...
  • 3篇北京交通大学
  • 3篇华北电力大学
  • 3篇中国科学院大...
  • 3篇株洲中车时代...
  • 3篇国家电网有限...
  • 2篇合肥工业大学
  • 2篇电子科技大学
  • 2篇重庆大学
  • 2篇中国南方电网
  • 2篇电子科技大学...
  • 2篇国网江苏省电...
  • 2篇湖南国芯半导...
  • 2篇中电普瑞电力...
  • 2篇全球能源互联...

作者

  • 5篇白云
  • 4篇陈宏
  • 3篇余有灵
  • 3篇王翠霞
  • 2篇杨成樾
  • 2篇刘新宇
  • 2篇刘文正
  • 2篇周锌
  • 2篇吴江枫
  • 1篇孙鹏菊
  • 1篇李武华
  • 1篇田晓丽
  • 1篇何湘宁
  • 1篇周淼
  • 1篇余占清
  • 1篇罗皓泽
  • 1篇曾嵘
  • 1篇赵彪
  • 1篇赵彪
  • 1篇黄旭

传媒

  • 17篇机车电传动
  • 8篇电力电子技术
  • 6篇电子质量
  • 5篇半导体技术
  • 4篇电工技术学报
  • 3篇电子与封装
  • 3篇电源学报
  • 2篇微电子学
  • 2篇铁道标准设计
  • 1篇今日制造与升...
  • 1篇洁净与空调技...
  • 1篇焊接学报
  • 1篇机械工程师
  • 1篇设备管理与维...
  • 1篇中国电力
  • 1篇电子学报
  • 1篇电子技术（上...
  • 1篇中国电机工程...
  • 1篇信息与电脑
  • 1篇广东化工

年份

  • 47篇2024
  • 113篇2023
  • 91篇2022
  • 126篇2021
  • 49篇2020
共 428 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种压接式半导体子模组及模块
本发明提供了一种压接式半导体子模组，包括一个第二导电片，所述第二导电片连接有多个半导体芯片，每个所述半导体芯片连接有第一导电片，所述第一导电片与半导体芯片的发射极/源极连接，所述第二导电片与半导体芯片的集电极/漏极连连接...
常桂钦李寒石廷昌张文浩彭勇殿邵钰
文献传递
电力机车接触网防烧断智能保护装置
电力机车接触网防烧断智能保护装置，包括控制模块、信号采集模块、存储模块，数字输入模块，数字输出模块、电源系统和串口通信模块，信号采集模块包括电流信号采样电流和电压信号采样电路，分别从车顶电路的输入端经电流互感器和电压互感...
何鹏张开辉程育新高德阳杨耀宗陈科林胡兆花王建强徐开德马钰
文献传递
一种用于背面曝光的静电载片
本实用新型涉及一种用于背面曝光的静电载片，包括装载晶圆的载板，所述载板上设置有通孔，晶圆上设置有标记，所述通孔的位置和标记的位置相对应，所述通孔的中心位置和背面对准镜头中心位置的距离不大于背面对准镜头和载板中心位置距离的...
丁杰罗湘姚尧张鸿鑫蔡海管佳宁唐智慧冯宇曾琪
一种低压IGBT器件的制备方法
本发明公开了一种低压IGBT器件的制备方法，包括如下步骤：S1.在晶圆的正面完成IGBT正面结构；S2.将步骤S1得到的晶圆的背面减薄至第一厚度；S3.在所述步骤S2得到的晶圆的背面形成缓冲层；S4.将步骤S3得到的晶圆...
姚尧罗海辉肖强罗湘何逸涛丁杰刘葳刘武平冯宇卜毅
带有P+沟槽结构的碳化硅MOSFET器件及制作方法
本公开涉及芯片制造技术领域，提供了带有P+沟槽结构的碳化硅MOSFET器件及制作方法。该器件的元胞包括：所述碳化硅N‑外延层内部形成有两个对称设置的P‑base区域；所述P‑base区域内部形成有通过自对准技术形成的N+...
罗烨辉李诚瞻郑昌伟王亚飞宋瓘罗海辉
功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件
本申请提供一种功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件，所述元胞结构包括衬底，其中，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述衬底内的第一导电类型第一基区；其中，所述第一基区于所述元胞结构中心位置设置有向靠近所述...
陈勇民陈芳林操国宏蒋谊徐焕新潘学军曾宏邹平孙永伟
文献传递
一种SiC MOSFET结构及其制造方法
本发明涉及一种SiC MOSFET结构及其制造方法，所述SiC MOSFET结构的元胞包括：从下到上依次设置的N+衬底、N‑外延层、P肼区和N+区；延伸到N‑外延层内的至少1个沟槽，每个沟槽具有相对的侧壁和底部；位于N‑...
刘启军 宋瓘 罗烨辉 何启鸣 王亚飞 姚尧 李诚瞻 肖强 罗海辉
半导体器件及其制备方法、电力变换装置
本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法、电力变换装置。半导体器件包括：半导体层，具有彼此相对的第一面和第二面，在第一面上设置有凹槽，半导体层包括第一导电类型的第一半导体区域、第二导电类型的第二半导体区域、第一导电类型的...
袁新郑昌伟王亚飞宋瓘李诚瞻罗海辉
直流断路器用4.5 kV/10 kA IGCT特性研究被引量：3
2022年
集成门极换流晶闸管(IGCT)由于电压等级高、关断电流能力大、通态损耗低,在直流断路器(DCCB)领域应用倍受关注。基于4英寸4.5kV/4kA IGCT技术基础,通过优化N-基区掺杂浓度、阳极掺杂分布及阴极梳条排布,研制出6英寸4.5 kV/10kA IGCT。测试结果显示该器件具有良好的高温阻断能力,在高温125℃下8kA时导通压降典型值为1.6V,在DCCB应用拓扑回路中其关断电流能力可达到12kA,且关断电流拖尾期间没有电压振荡现象。
操国宏陈勇民陈芳林潘学军
关键词：集成门极换流晶闸管直流断路器
一种功率半导体器件驱动保护电路
本实用新型公开了一种功率半导体器件驱动保护电路，涉及电子电路技术领域，该驱动保护电路包括：驱动模块、启停模块以及保护模块，驱动模块连接在功率半导体器件的门极与阴极之间，启停模块的一端与功率半导体器件的门极连接，启停模块的...
潘学军曾宏陈芳林操国宏孙永伟邹平陈勇民徐焕新蒋谊彭文华
文献传递
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