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丹尼克斯半导体有限公司

作品数：32 被引量：16H指数：2
相关机构：株洲中车时代半导体有限公司株洲中车时代电气股份有限公司电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信经济管理文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 28篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 6篇经济管理
  • 3篇文化科学
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 28篇半导体
  • 14篇半导体器件
  • 9篇导电类型
  • 8篇半导体装置
  • 7篇功率半导体
  • 6篇极区
  • 5篇导电
  • 5篇组件
  • 5篇芯片
  • 5篇壳体
  • 5篇功率半导体器...
  • 5篇半导体芯片
  • 4篇漂移区
  • 4篇功率
  • 4篇沟槽
  • 4篇半导体设备
  • 3篇电极
  • 3篇双极型
  • 3篇接触区
  • 3篇晶体管

机构

  • 32篇丹尼克斯半导...
  • 17篇株洲中车时代...
  • 11篇株洲中车时代...
  • 1篇桂林电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇株洲南车时代...

作者

  • 1篇冯进军
  • 1篇张天钟
  • 1篇彭麟
  • 1篇蒋华平
  • 1篇王峨锋
  • 1篇李诚瞻

传媒

  • 1篇机车电传动
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇大功率变流技...

年份

  • 13篇2023
  • 5篇2022
  • 5篇2021
  • 5篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件
提供了一种半导体器件(1)，包括：壳体，其包括布置在该壳体的相对侧的第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)；以及多个半导体单元(30)，其布置在壳体内该第一和第二壳体电极(4、5)之间，并通过压力耦合到该第一和第二壳体电...
R·A·辛普森迈克尔·大卫·尼科尔森王彦刚
半导体器件
我们在此公开了一种栅极控制的双极型半导体器件，包括：第一导电类型的集电极区；设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；第二导电类型的多个第一接触区，所述多个第一接触区设置于...
伊恩·德文尼路德-金·恩格文森约翰·哈钦斯
高功率的半导体装置的晶片金属化
本发明公开了一种用于高电流密度应用的功率半导体装置，所述装置包括：形成在彼此顶部之上的多个半导体区域；形成在所述半导体区域之一的第一表面上方的接触层。所述接触层包括置于与所述半导体区域之一的所述第一表面直接接触的第一部分...
I·德温耶M·柯
文献传递
压接式半导体器件封装
提供了一种半导体器件(1)，包括：多个半导体芯片(20)；布置在半导体芯片(20)相对侧的第一导体(4)和第二导体(5)，第二导体(5)包括多个柱(10)，每个半导体芯片(20)包括：面向第一导体的第一表面；布置在第一表...
R·A·辛普森迈克尔·大卫·尼科尔森王彦刚
半导体装置
提供了一种半导体装置(1)，包括：壳体，该壳体包括壳体电极(4)；以及被布置在壳体内的至少一个半导体芯片(20)；其中，壳体电极(4)包括可变形部分(15)，并且可变形部分(15)被构造为当壳体的内部与外部之间的压力差超...
R·A·辛普森王彦刚
半导体器件
我们在此公开了一种栅极控制的双极型半导体器件，包括：第一导电类型的集电极区；设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；第二导电类型的多个第一接触区，所述多个第一接触区设置于...
伊恩·德文尼路德-金·恩格文森约翰·哈钦斯
文献传递
具有失效模式保护的半导体装置
本公开提供了一种半导体装置1，包括：壳体，其包括内部空间；至少一个半导体芯片20，其布置在壳体内；以及隔板13，其布置在壳体内并且被构造为将壳体的内部空间分隔成第一腔室11和第二腔室12，其中，至少一个半导体芯片20布置...
R·A·辛普森王彦刚
半导体设备子组件
本发明公开一种半导体设备子组件，包括：彼此之间横向间隔开的多个半导体单元；包括多个孔的半导体单元定位器，其中每一半导体单元位于半导体单元定位器的每一孔中；用于将压力施加到每一半导体单元上的多个压力构件；以及位于多个压力构...
R·A·辛普森
文献传递
半导体设备子组件
本发明公开一种半导体设备子组件，包括：彼此之间横向间隔开的多个半导体单元，多个导电块，其中，每一导电块与每一半导体单元操作地耦连；与每一导体块操作地耦连的导电可延展层，其中，所述多个导电块位于导电可延展层和所述多个半导体...
R·A·辛普森
具有LOCOS沟槽的半导体器件
一种栅极控制的半导体器件，包括：第一导电类型的集电极区；设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；第二导电类型的至少一个第一接触区，所述至少一个第一接触区设置于所述主体区上...
路德-金·恩格文森伊恩·德文尼约翰·哈钦斯
文献传递
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