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上海联星电子有限公司

作品数：108 被引量：0H指数：0
相关机构：江苏中科君芯科技有限公司中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 107篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 30篇IGBT
  • 25篇集电极
  • 18篇半导体
  • 18篇衬底
  • 15篇电路
  • 14篇终端区
  • 13篇漂移
  • 13篇芯片
  • 13篇集电区
  • 12篇射频
  • 12篇IGBT器件
  • 10篇元胞
  • 10篇载流子
  • 10篇漂移区
  • 10篇晶体管
  • 10篇功率器件
  • 10篇发射极
  • 10篇场限环
  • 9篇多晶
  • 9篇绝缘栅

机构

  • 108篇上海联星电子...
  • 84篇江苏中科君芯...
  • 68篇中国科学院微...

作者

  • 30篇朱阳军
  • 12篇张文亮
  • 6篇喻巧群
  • 5篇褚为利
  • 4篇赵佳
  • 4篇胡爱斌
  • 3篇田晓丽
  • 2篇吴振兴
  • 1篇杜寰
  • 1篇李科
  • 1篇李赛
  • 1篇张杰

传媒

  • 1篇现代电子技术

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 12篇2018
  • 22篇2017
  • 2篇2016
  • 7篇2015
  • 50篇2014
  • 9篇2013
共 108 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种有源区金属与终端区形成电连接的版图
本实用新型提供了一种有源区金属与终端区形成电连接的版图，在版图中四条边中部位置或四个拐角位置，有源区的源极金属层和与主结和第一级场限环中间区域连接的金属形成电连接。本实用新型提供的一种实现有源区金属与终端区电连接的芯片版...
褚为利朱阳军吴振兴陆江
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用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区
本发明公开了用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，包括：在正面结构中，包括衬底、场限环、覆盖场限环的氧化层或者钝化层、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区、IGBT元包的发射极及发射极金属电极，所述场限环的掺杂类型与衬底相反...
褚为利朱阳军田晓丽张文亮陆江
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逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法
本发明公开了一种逆导型IGBT的集电极结构，包括：基区、N<Sup>‑</Sup>锗缺陷层、P<Sup>+</Sup>锗集电极区、N<Sup>+</Sup>锗短路区及集电极金属层；所述N<Sup>‑</Sup>锗缺陷层设...
张文亮胡爱斌朱阳军陆江
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一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法
本发明公开了一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法，属于功率半导体技术领域，该缓冲层包括至少两层N型掺杂层，缓冲层在漂移区和P+集电区之间，制作该缓冲层的方法为：在N‑型衬底的背面通过质子辐照形成第一掺杂层，第一掺杂层的掺...
喻巧群朱阳军卢烁今吴振兴田晓丽
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一种低压RB-IGBT的制备方法
本发明公开了一种低压RB-IGBT器件的制造方法，正反两面结构通过采用双面截断型终端结构，实现RB-IGBT的双向阻断能力，与正面采用场限环等终端的RB-IGBT相比，能有效的缩小终端区占有的芯片面积，从而节省成本。
滕渊朱阳军田晓丽卢烁今
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一种沟槽型IGBT结构的制作方法
本发明公开了一种沟槽型IGBT结构的制作方法，属于半导体技术领域。该方法在N‑型衬底的上表面开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法生长氧化层，在窗口区域的两侧分别刻蚀一沟槽；在N‑型衬底的上表面和沟槽的侧壁均淀积...
赵佳朱阳军胡爱斌卢烁今
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一种IGBT短路集电极结构的制备方法
本发明公开了一种IGBT短路集电极结构的制备方法，属于功率半导体器件。该方法为：在所IGBT结构的正面形成栅极结构和源极结构后，将N-型衬底的背面减薄，并在N-型衬底的背面淀积一层掩蔽层；依次刻蚀部分掩蔽层和N-型衬底，...
胡爱斌朱阳军赵佳吴振兴卢烁今
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逆导型IGBT的制备方法
本发明公开了一种逆导型IGBT的制备方法，包括：在衬底上表面制备薄膜层；在制备薄膜层的衬底上表面外延第一导电类型的漂移区；在所述第一导电类型的漂移区上制备芯片的正面结构；将制备正面结构的芯片的背面减薄后金属化形成集电极金...
张文亮田晓丽朱阳军吴振兴
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一种匹配电路确定方法及负载牵引系统
本发明涉及射频微波设计、测量领域，提供了一种匹配电路确定方法及负载牵引系统，以解决现有技术中无法准确设计出高功率的功率放大器的匹配电路的技术问题。该方法应用于负载牵引系统，该系统中设置有被测器件，被测器件的第一端连接有第...
丛密芳任建伟李科杜寰
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一种IGBT及其制作方法
本发明公开了一种IGBT及其制作方法，所述IGBT包括：位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；位于所述半导体衬底上表面内的阱区、源区和浅阱区，其中，所述阱区内设置有源区，所述阱区、源区以及浅阱区的上表面与所述半导体衬底的上...
谈景飞朱阳军胡爱斌张文亮王波
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