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江苏中科君芯科技有限公司

作品数：351 被引量：0H指数：0
相关机构：中国科学院微电子研究所江苏物联网研究发展中心上海联星电子有限公司更多>>
发文基金：江苏省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 345篇专利
  • 6篇期刊文章

领域

  • 37篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇电气工程
  • 2篇经济管理
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇矿业工程

主题

  • 87篇IGBT
  • 73篇IGBT器件
  • 63篇导电类型
  • 58篇元胞
  • 49篇集电极
  • 49篇半导体
  • 33篇欧姆接触
  • 31篇损耗
  • 31篇绝缘栅
  • 28篇导通
  • 28篇载流子
  • 28篇晶体管
  • 28篇功率器件
  • 26篇二极管
  • 26篇发射极
  • 26篇半导体器件
  • 26篇衬底
  • 25篇电流
  • 24篇多晶
  • 21篇多晶硅

机构

  • 351篇江苏中科君芯...
  • 149篇中国科学院微...
  • 89篇江苏物联网研...
  • 84篇上海联星电子...
  • 11篇全球能源互联...
  • 9篇国家电网公司
  • 5篇国网浙江省电...
  • 3篇国网山东省电...
  • 1篇江南大学
  • 1篇国网山西省电...

作者

  • 62篇朱阳军
  • 18篇褚为利
  • 17篇张文亮
  • 10篇喻巧群
  • 7篇赵佳
  • 7篇吴振兴
  • 6篇胡爱斌
  • 4篇田晓丽
  • 4篇张广银
  • 2篇左小珍
  • 2篇董少华
  • 2篇谈景飞
  • 1篇卢烁今
  • 1篇钟传杰
  • 1篇张杰
  • 1篇陆江
  • 1篇沈源

传媒

  • 3篇电焊机
  • 2篇变频器世界
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 10篇2024
  • 17篇2023
  • 18篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 37篇2019
  • 49篇2018
  • 56篇2017
  • 26篇2016
  • 40篇2015
  • 61篇2014
  • 29篇2013
共 351 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
PIN超结结构
本发明公开了一种PIN超结结构，包括：N型柱、P型柱、发射极、基区、发射极金属层、缓冲层、集电极、集电极金属层及本征区；所述N型柱依次通过缓冲层、集电极与集电极金属层连接；所述P型柱与所述基区连接；所述发射极金属层分别与...
张文亮朱阳军卢烁今胡爱斌
文献传递
IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件，该IGBT器件的N型基极区背面的依次设置有第一N型缓冲层、第二N型缓冲层和第三N型缓冲层，其中所述第一N型缓冲层的掺杂杂质为第五主族元素离子，且所述第一N型缓冲层的杂质浓度大于N型基极...
胡爱斌朱阳军卢烁今王波吴振兴田晓丽赵佳陆江
文献传递
具有高抗闩锁能力的IGBT器件
本实用新型涉及一种具有高抗闩锁能力的IGBT器件，其有源元胞包括第二导电类型基区以及第一导电类型源极区；在第二导电类型基区内设置阻挡环；在IGBT器件的截面上，阻挡环包括第一导电类型埋层以及绝缘介质柱，绝缘介质柱的上端与...
杨飞沈千行朱阳军卢烁今田晓丽
文献传递
栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路
本发明涉及一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是：包括双脉冲主电路，双脉冲主电路包括被测器件、陪测器件、第一功率器件和第二功率器件，被测器件的门极为双脉冲驱动电路；所述双脉冲驱动电路包括多个并联的栅极电阻...
程炜涛董志意赵鹏张伟勋王海军
具有内置二极管的IGBT器件背面工艺
本发明涉及一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其包括如下步骤：a、得到正面元胞结构；b、对晶圆背面进行减薄；c、在离子注入后的晶圆背面上涂覆光刻胶层；d、提供光刻机；e、确定notch区坐标；f、根据上述notch...
程炜涛许剑王海军叶甜春
能进行终端横向耐压测试的IGBT版图
本发明涉及一种IGBT版图，尤其是一种能进行终端横向耐压测试的IGBT版图，属于IGBT器件的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述能进行终端横向耐压测试的IGBT版图，包括半导体基板，在半导体基板的中心区设置元胞区域...
董少华杨晓鸾许生根姜梅金锐崔磊
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具有载流子存储层的沟槽栅IGBT制备方法
本发明涉及一种具有载流子存储层的沟槽栅IGBT制备方法，其包括如下步骤：a、提供所需具有第一导电类型的衬底，并在所述衬底内的上部设置载流子存储层；b、提供所需具有第二导电类型的基板，并将所述基板键合固定在衬底上；c、在上...
贾艳朱阳军卢烁今陈宏
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用于半导体功率器件的终端
本发明公开了用于半导体功率器件的终端，包含至少两层场板和至少一个场限环；所述每层场板包含至少两块场板，其中，位于主结正上方的各个场板互相连接，并且所述主结与位于该主结正上方的相应场板连接，余下的场板之间通过绝缘材料隔开，...
喻巧群朱阳军褚为利田晓丽吴振兴陆江
文献传递
防静电IGBT模块结构
本发明涉及一种防静电IGBT模块结构，其包括封装壳体以及封装在所述封装壳体内的IGBT器件IGBT1与IGBT器件IGBT2；IGBT器件IGBT1的集电极端与IGBT器件IGBT2的发射极连接；IGBT器件IGBT1栅...
孔凡标许生根姜梅张金平
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一种具有浮空P岛的沟槽型二极管及其制备方法
本发明涉及一种沟槽型二极管及其制备方法，其沟槽阳极结构包括沟槽、接触孔以及位阳极金属层，在N型外延层的上部通过沟槽、接触孔形成用于间隔沟槽与接触孔的侧墙；在N型外延层内设置P岛，所述P岛位于沟槽槽底的正下方且P岛与沟槽的...
伍济
文献传递
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