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2024年7月18日星期四

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苏州纳维科技有限公司: 作品数：126 被引量：3H指数：1; 相关机构：中国科学院中国科学技术大学苏州大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江苏省科技厅基金更多>>; 相关领域：电子电信金属学及工艺理学语言文字更多>>

合作机构

中国科学院
中国科学技术大学
苏州大学
中国电子科技集团公司
苏州纳睿光电有限公司

发表作品
相关人物
相关机构
所获资助
研究领域

文献类型

104篇专利
9篇期刊文章
8篇会议论文
5篇标准

领域

27篇电子电信
10篇金属学及工艺
4篇理学
3篇一般工业技术
3篇语言文字
2篇经济管理
2篇机械工程
2篇文化科学
1篇天文地球
1篇化学工程
1篇冶金工程
1篇自动化与计算...

主题

28篇衬底
22篇半导体
21篇氮化物
17篇化物
16篇氮化
15篇发光
14篇外延层
14篇半导体材料
13篇氮化镓
11篇纳米
10篇晶体
9篇气相外延
9篇位错
8篇单晶
8篇氢化物气相外...
8篇激光
8篇GAN
7篇金属
7篇III族
7篇III族氮化...

机构

126篇苏州纳维科技...
37篇中国科学院
6篇苏州大学
6篇中国科学技术...
1篇苏州科技学院
1篇上海科技大学
1篇中国科学院研...
1篇中国电子科技...
1篇有色金属技术...
1篇福建兆元光电...
1篇丹东新东方晶...
1篇东莞市中镓半...
1篇哈尔滨奥瑞德...
1篇苏州纳睿光电...

作者

10篇王建峰
8篇徐科
5篇任国强
5篇王志高
4篇曹冰
4篇黄增立
3篇张育民
3篇徐俞
2篇韩琴
2篇王建峰
2篇张纪才
1篇邱永鑫
1篇徐科
1篇樊英民
1篇郑树楠
1篇黄俊
1篇周桃飞
1篇韩佰祥
1篇刘争晖
1篇刘宗亮

传媒

6篇人工晶体学报
1篇半导体技术
1篇电力电子技术
1篇电子显微学报
1篇第12届全国...
1篇第13届全国...
1篇第十四届全国...

年份

6篇2024
17篇2023
15篇2022
11篇2021
6篇2020
2篇2019
5篇2018
6篇2017
1篇2016
12篇2015
4篇2014
8篇2013
10篇2012
10篇2011
10篇2010
3篇2009

共 126 条记录，以下是 1-10

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排序方式：

尾气中镓源回收装置、尾气处理装置及HVPE反应器: 本发明属于半导体材料技术领域。本发明公开了一种尾气中镓源回收装置，回收装置包括腔体及设于腔体内的回收容器；腔体内壁顶面为弧形；回收装置内部的温度为300‑800℃；本发明还公开了一种尾气处理装置及HVPE反应器。HVPE...; 徐琳蔡德敏金超

一种闸板阀: 本发明提供一种闸板阀，包括一闸板，还包括内壳和盖板，所述闸板包括水嘴、连杆和方板；所述方板两端分别固接一连杆，两根连杆另一端分别设有所述水嘴；所述方板上设有一通孔；所述方板与连杆为中空结构，且两者的中空结构相连通；所述闸...; 徐俞张纪才徐琳王建峰徐科; 文献传递

一种硅基图形衬底上生长外延层的方法: 一种硅基图形衬底上生长外延层的方法，包括如下步骤：提供硅衬底；在硅衬底表面生长第一外延层；在第一外延层远离硅衬底的表面生长第一介质层；将第一介质层的一部分腐蚀除去；刻蚀第一外延层，至露出硅衬底后停止；在硅衬底上形成凹陷结...; 朱建军徐科王建峰; 文献传递

一种III-V族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构及其制备方法: 本发明涉及了一种III-V族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构及其制备方法，利用半导体材料在不同材料上的形核功不同，借助于简单的镀膜工艺和湿法刻蚀工艺，消除了半导体材料表面的孔洞，形成了表面平整、但保留晕状结构的III...; 张育民王建峰徐科

晶体参考面加工用X射线定向夹具和定向方法: 本申请公开了一种晶体参考面加工用X射线定向夹具和定向方法，该晶体参考面加工用X射线定向夹具，包括：可控倾斜台，具有一支撑面，该支撑面相对水平面的倾斜角度可调；夹具底板，固定于所述支撑面上；夹具顶板，与所述夹具底板上下设置...; 徐俞王建峰徐科; 文献传递

一种等离子激元纳米激光器: 本发明涉及微纳光子器件与激光技术领域。本发明提供一种等离子激元纳米激光器，包括一第一介质层、一第一隔离层、和一增益介质腔体，所述第一隔离层置于所述第一介质层的裸露表面上，所述增益介质腔体置于所述第一隔离层的裸露表面上，其...; 黄增立王建峰徐科杨辉

一种偏振出光发光二极管: 本发明公开了一种具有二维表面周期结构的偏振出光发光二极管，它是一种有源偏振出光光学器件。它的发光二极管芯片包括基底、n型层，量子阱、p型层；在p型层的上表面制备具有二维周期结构的金属表面层；或制备一介质过渡层与具有二维周...; 韩琴曹冰张桂菊王钦华王建峰徐科; 文献传递

金属Ga高效利用装置及方法: 本发明提供一种金属Ga高效利用装置及方法，所述金属Ga高效利用装置包括：生长设备、气液分离器；所述生长设备为利用金属Ga作为原材料的生长设备，其内部形成含Ga材料生长空间，所述气液分离器具有气液进口、气体出口以及液体Ga...; 任国强王建峰徐科张育民徐俞; 文献传递

可分离多层GaN衬底及其制作方法、半导体芯片制作方法: 本发明公开了一种可分离的多层GaN衬底，至少包括三层结构，其中包括GaN基层，位于该GaN基层上的氮化物牺牲层，位于该氮化物牺牲层上的GaN功能层，其中所述GaN功能层上设有开窗，所述开窗内设有金属电极，所述金属电极欧姆...; 徐琳苏克勇陈吉湖聂恒亮; 文献传递

微柱阵列的制备方法、阵列结构及生长晶体材料的方法: 本发明是有关于一种微柱阵列的制备方法、阵列结构及生长晶体材料的方法。所述微柱阵列的制备方法包括如下步骤：提供第一晶体层；将第一晶体层置于选择性腐蚀的环境中，所采用的选择腐蚀工艺优先腐蚀与第一晶体层的表面呈一角度的晶面，所...; 刘建奇王建峰任国强弓晓晶徐科

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