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苏州纳睿光电有限公司

作品数：12 被引量：0H指数：0
相关机构：中国科学院苏州纳维科技有限公司更多>>
相关领域：电子电信冶金工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 1篇冶金工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 11篇激光
  • 9篇激光器
  • 6篇半导体
  • 5篇半导体激光
  • 5篇波导
  • 3篇氮化镓
  • 3篇氮化镓基激光...
  • 3篇电压
  • 3篇电子阻挡层
  • 3篇多量子阱
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇阻挡层
  • 3篇二极管
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇氮化物
  • 2篇电压特性
  • 2篇势垒
  • 2篇激光二极管
  • 2篇管芯
  • 2篇管座

机构

  • 12篇苏州纳睿光电...
  • 6篇中国科学院
  • 1篇苏州纳维科技...

作者

  • 2篇周坤
  • 1篇张书明
  • 1篇王建峰

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2013
  • 5篇2012
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法
本发明公开了一种半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法，镀膜陪条用于激光器巴条镀膜时将两激光器巴条间隔开，所述镀膜陪条为凸形横截面的长条，且镀膜陪条的宽度短于激光器巴条的宽度。本发明在激光器巴条腔面镀膜时与激光器巴条间隔设...
冯美鑫张书明刘建平王辉曾畅杨辉
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GaN基蓝光激光器上波导层的优化
传统的GaN基蓝光激光器上波导层在p-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN光学限制层之间,导致激光器中的应力较大,腔面出现分层现象,激光器的阈值电流密度较高。本文提出改变上波导层和p-AlGaN电子阻挡层的相对位置,有效...
Meixin Feng冯美鑫张书明Shuming ZhangChang Zeng曾畅Jianping Liu刘建平Deyao Li李德尧Liqun Zhang张立群Zengcheng Li李增成王峰Feng WangHui Yang杨辉
关键词：蓝光激光器优化设计
半导体激光二极管及其封装方法
本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片...
周坤李德尧张书明刘建平张立群冯美鑫李增成王怀兵杨辉
文献传递
一种氮化物半导体激光器
本发明公开了一种氮化物半导体激光器，从下至上依次包括GaN衬底，n-GaN层，n-AlGaN/GaN超晶格限制层，下In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N渐变波导层，InGaN/GaN多量子阱有源...
冯美鑫张书明刘建平李增成杨辉
文献传递
一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法
本发明公开了一种新型氮化镓基激光器外延结构的制备方法，包括如下步骤：(a)在衬底上外延生长一层GaN缓冲层；(b)缓冲层上外延n型光限制层；(c)生长下波导层；(d)外延生长In<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1-...
李增成刘建平张书明王辉杨辉
文献传递
半导体激光二极管及其封装方法
本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片...
周坤李德尧张书明刘建平张立群冯美鑫李增成王怀兵杨辉
文献传递
一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法
本发明公开了一种新型氮化镓基激光器外延结构的制备方法，包括如下步骤：(a)在衬底上外延生长一层GaN缓冲层；(b)缓冲层上外延n型光限制层；(c)生长下波导层；(d)外延生长In<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1-...
李增成刘建平张书明王辉杨辉
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一种半导体激光器退化机制的检测方法
本发明公开了一种半导体激光器退化机制的检测方法，其包括：在同等条件下分别测量失效的半导体激光器的瞬态降温曲线和标准工作的半导体激光器的瞬态降温曲线，对两瞬态降温曲线进行比对，得到失效的半导体激光器的退化机制。本发明利用了...
温鹏雁李德尧张书明刘建平张立群杨辉
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氮化物半导体单晶材料的HVPE生长及同质外延生长研究
三十年中,氮化物半导体器件都是采用异质外延的方式生长在蓝宝石、碳化硅或者硅衬底上面,已经取得了巨大的成功.材料中的缺陷密度从早期的1010cm-2数量级,降低到了现在的108cm-2数量级.异质外延生长开启了氮化物半导体...
王建峰刘建平任国强张纪才张书明徐科杨辉
关键词：氮化物半导体单晶材料
一种氮化镓基激光器管芯的制备方法
本发明公开了一种氮化镓基激光器管芯的制备方法，包括如下步骤：1）在衬底上外延生长N型GaN电极接触层、N型光限制层、N型波导层、发光有源区、P型波导层、P型光限制层和P型电极接触层；得到氮化镓基激光器外延结构；2）将氮化...
张书明王辉刘建平王怀兵杨辉
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