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联华电子股份有限公司

作品数:3,844 被引量:0H指数:0
相关机构:福建省晋华集成电路有限公司联芯集成电路制造(厦门)有限公司联诚光电股份有限公司更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>

文献类型

  • 3,842篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 399篇电子电信
  • 144篇自动化与计算...
  • 79篇文化科学
  • 58篇经济管理
  • 23篇金属学及工艺
  • 18篇建筑科学
  • 15篇天文地球
  • 13篇电气工程
  • 12篇轻工技术与工...
  • 10篇交通运输工程
  • 10篇一般工业技术
  • 10篇理学
  • 7篇化学工程
  • 4篇医药卫生
  • 2篇矿业工程
  • 2篇石油与天然气...
  • 2篇农业科学
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 1,631篇半导体
  • 1,300篇基底
  • 727篇栅极
  • 709篇半导体元件
  • 512篇制作方法
  • 462篇蚀刻
  • 451篇栅极结构
  • 424篇掩模
  • 406篇晶体管
  • 393篇存储器
  • 379篇导体
  • 347篇图案化
  • 303篇漏极
  • 294篇半导体结构
  • 289篇图案
  • 270篇源极
  • 261篇金属
  • 237篇电路
  • 209篇晶片
  • 207篇绝缘

机构

  • 3,844篇联华电子股份...
  • 382篇福建省晋华集...
  • 12篇联芯集成电路...
  • 5篇联诚光电股份...
  • 4篇三垦电气株式...
  • 2篇国际商业机器...
  • 2篇因芬尼昂技术...
  • 1篇瑞萨电子株式...

年份

  • 26篇2024
  • 270篇2023
  • 307篇2022
  • 285篇2021
  • 248篇2020
  • 268篇2019
  • 169篇2018
  • 131篇2017
  • 131篇2016
  • 56篇2015
  • 43篇2014
  • 76篇2013
  • 56篇2012
  • 74篇2011
  • 85篇2010
  • 202篇2009
  • 247篇2008
  • 274篇2007
  • 175篇2006
  • 159篇2005
3,844 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
去除蚀刻残余的聚合物的方法
一种去除蚀刻残余的聚合物的方法,先提供形成有蚀刻残余的聚合物的基板,再以含氢等离子处理此基板,然后以湿式清洁法去除基板上的聚合物。其中,氢等离子处理步骤可改变聚合物的化学性质,令其更容易在后续的湿式清洁步骤中被去除。
郑懿芳俞善仁陈正坤黄昱铭
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一种图形处理装置的串接装置及方法
图形处理装置的串接装置,包括:一时序产生装置;一像素同步装置;一层次比较装置;一模式选择装置;一串接控制装置;一色码输出装置;其方法为:将复数个图形处理装置串接,设其中之一为主图形、其它为次图形的处理装置,由主图形处理装...
邓永佳朱华亮
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半导体结构及其制作工艺
本发明公开一种半导体结构及其制作工艺,该半导体结构包含有一功函数金属层、一(功函数)金属氧化层以及一主电极。功函数金属层位于一基底上。(功函数)金属氧化层位于功函数金属层上。主电极位于(功函数)金属氧化层上。此外,本发明...
蔡旻錞黄信富许启茂林进富陈健豪陈威宇孙启原谢雅雪郑存闵
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非门控二极管、制造方法和应用其的静电放电防护电路
一种绝缘体基外延硅的非门控二极管结构,包括:一绝缘体基外延硅衬底,其具有衬底、绝缘层与硅层依序堆叠;对隔离结构,位于硅层中,使在对隔离结构之间与硅层中具有一阱区;第一型离子注入区与一第二型离子注入区,位于阱区中并且分别紧...
柯明道洪根刚唐天浩
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芯片与封装结构
一种芯片,此芯片包括衬底、第一介电层、金属层、第二介电层与保护层。该衬底定义有一熔丝区域与一非熔丝区域,该熔丝区域内具有至少一熔丝焊垫。第一介电层配置于衬底上。金属层配置于第一介电层中。第二介电层配置于金属层与第一介电层...
饶瑞孟
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电容结构
一种电容结构,包括第一电容器以及第二电容器。第一电容器包括第一电极、第二电极与第一绝缘层,其中第二电极配置于第一电极下方,且第一绝缘层配置于第一电极与第二电极之间。第二电容器配置于第一电容器下方,且与第一电容器并联。第二...
许村来严国辉陈威良
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以覆盖层制造铜内连线的方法
本发明提供一种制造铜内连线的方法,该方法可在制造时避免发生铜内连线表面凹陷而造成金属线细化及电阻值升高的问题。本发明提出的方法主要是利用一覆盖层选择性地覆盖在双层嵌入结构的正上方,用以平衡铜与周围材质间研磨速率的差距。这...
蔡腾群许嘉麟魏咏宗杨名声
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同时制造电容器的连线结构与电感的连线结构的方法
一种同时制造电容器的连线结构与电感的连线结构的方法,包括:提供一基底,其上已形成有同层的电容器与电感,电容器由金属下电极板、金属间介电层及金属上电极板构成,电感下端与金属下电极板与基底电连接;在基底、金属上电极板与电感上...
周淳朴严以杰
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半导体结构及其制造方法
本发明公开一种半导体结构及其制造方法,其中该半导体结构包括多个芯片。多个芯片堆叠排列。每个芯片包括射频元件。相邻两个芯片彼此接合。多个芯片中的多个射频元件并联连接。每个射频元件包括栅极、源极区与漏极区。并联连接的多个射频...
马瑞吉邢溯
集成电路布局
本发明公开了一种集成电路布局,包括第一标准单元和第二标准单元。第一标准单元包括多个第一栅极线沿着第一方向排列在两第一单元边界之间,并且包括一第一栅极线宽度以及相距一预设栅极线间距(default gate line pi...
吴昆源王伟任陈建孚许振贤陈建宏林俊贤
共385页<12345678910>
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