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联华电子股份有限公司
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福建省晋华集成电路有限公司
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联诚光电股份有限公司
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268篇
2019
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2018
131篇
2017
131篇
2016
56篇
2015
43篇
2014
76篇
2013
56篇
2012
74篇
2011
85篇
2010
202篇
2009
247篇
2008
274篇
2007
175篇
2006
159篇
2005
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去除蚀刻残余的聚合物的方法
一种去除蚀刻残余的聚合物的方法,先提供形成有蚀刻残余的聚合物的基板,再以含氢等离子处理此基板,然后以湿式清洁法去除基板上的聚合物。其中,氢等离子处理步骤可改变聚合物的化学性质,令其更容易在后续的湿式清洁步骤中被去除。
郑懿芳
俞善仁
陈正坤
黄昱铭
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一种图形处理装置的串接装置及方法
图形处理装置的串接装置,包括:一时序产生装置;一像素同步装置;一层次比较装置;一模式选择装置;一串接控制装置;一色码输出装置;其方法为:将复数个图形处理装置串接,设其中之一为主图形、其它为次图形的处理装置,由主图形处理装...
邓永佳
朱华亮
文献传递
半导体结构及其制作工艺
本发明公开一种半导体结构及其制作工艺,该半导体结构包含有一功函数金属层、一(功函数)金属氧化层以及一主电极。功函数金属层位于一基底上。(功函数)金属氧化层位于功函数金属层上。主电极位于(功函数)金属氧化层上。此外,本发明...
蔡旻錞
黄信富
许启茂
林进富
陈健豪
陈威宇
孙启原
谢雅雪
郑存闵
文献传递
非门控二极管、制造方法和应用其的静电放电防护电路
一种绝缘体基外延硅的非门控二极管结构,包括:一绝缘体基外延硅衬底,其具有衬底、绝缘层与硅层依序堆叠;对隔离结构,位于硅层中,使在对隔离结构之间与硅层中具有一阱区;第一型离子注入区与一第二型离子注入区,位于阱区中并且分别紧...
柯明道
洪根刚
唐天浩
文献传递
芯片与封装结构
一种芯片,此芯片包括衬底、第一介电层、金属层、第二介电层与保护层。该衬底定义有一熔丝区域与一非熔丝区域,该熔丝区域内具有至少一熔丝焊垫。第一介电层配置于衬底上。金属层配置于第一介电层中。第二介电层配置于金属层与第一介电层...
饶瑞孟
文献传递
电容结构
一种电容结构,包括第一电容器以及第二电容器。第一电容器包括第一电极、第二电极与第一绝缘层,其中第二电极配置于第一电极下方,且第一绝缘层配置于第一电极与第二电极之间。第二电容器配置于第一电容器下方,且与第一电容器并联。第二...
许村来
严国辉
陈威良
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以覆盖层制造铜内连线的方法
本发明提供一种制造铜内连线的方法,该方法可在制造时避免发生铜内连线表面凹陷而造成金属线细化及电阻值升高的问题。本发明提出的方法主要是利用一覆盖层选择性地覆盖在双层嵌入结构的正上方,用以平衡铜与周围材质间研磨速率的差距。这...
蔡腾群
许嘉麟
魏咏宗
杨名声
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同时制造电容器的连线结构与电感的连线结构的方法
一种同时制造电容器的连线结构与电感的连线结构的方法,包括:提供一基底,其上已形成有同层的电容器与电感,电容器由金属下电极板、金属间介电层及金属上电极板构成,电感下端与金属下电极板与基底电连接;在基底、金属上电极板与电感上...
周淳朴
严以杰
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半导体结构及其制造方法
本发明公开一种半导体结构及其制造方法,其中该半导体结构包括多个芯片。多个芯片堆叠排列。每个芯片包括射频元件。相邻两个芯片彼此接合。多个芯片中的多个射频元件并联连接。每个射频元件包括栅极、源极区与漏极区。并联连接的多个射频...
马瑞吉
邢溯
集成电路布局
本发明公开了一种集成电路布局,包括第一标准单元和第二标准单元。第一标准单元包括多个第一栅极线沿着第一方向排列在两第一单元边界之间,并且包括一第一栅极线宽度以及相距一预设栅极线间距(default gate line pi...
吴昆源
王伟任
陈建孚
许振贤
陈建宏
林俊贤
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