2024年7月9日
星期二
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
斯班逊有限公司
作品数:
277
被引量:0
H指数:0
相关机构:
斯班逊日本有限公司
先进微装置公司
格罗方德半导体公司
更多>>
相关领域:
自动化与计算机技术
更多>>
合作机构
斯班逊日本有限公司
先进微装置公司
格罗方德半导体公司
发表作品
相关人物
相关机构
所获资助
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
277篇
中文专利
领域
2篇
自动化与计算...
主题
71篇
半导体
50篇
存储器
40篇
电压
40篇
半导体装置
39篇
编程
38篇
闪存
37篇
电路
37篇
内存
34篇
存储装置
32篇
擦除
25篇
电荷
25篇
电流
24篇
栅极
21篇
漏极
21篇
内存单元
21篇
非易失性
19篇
存储器单元
18篇
沟道
17篇
晶体管
16篇
源极
机构
277篇
斯班逊有限公...
62篇
斯班逊日本有...
3篇
先进微装置公...
1篇
格罗方德半导...
年份
1篇
2018
1篇
2017
7篇
2016
19篇
2015
15篇
2014
15篇
2013
18篇
2012
22篇
2011
24篇
2010
43篇
2009
46篇
2008
59篇
2007
3篇
2006
4篇
2005
共
277
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
垂直电子式可擦除可编程只读存储器器件
本发明提供用于制造如电子式可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,EEPROM)的半导体器件(40)的方法。该半导体器件包括形成于半...
W·A·利贡
文献传递
在浸没式光刻术中使用超临界流体以干燥芯片及清洁透镜
本发明揭露浸没式光刻方法与系统,其包含透过浸没式光刻工具的透镜与浸没液体照射光阻,该浸没液体位于浸没空间中与透镜及光阻接触;从浸没空间移除浸没液体;将超临界流体注入于浸没空间中;从浸没空间移除超临界流体;以及将浸没液体注...
R·苏布拉马尼亚姆
B·辛格
K·A·潘
文献传递
具有高储存容量的多媒体卡
一种多媒体卡(204),包含多个存储器模块(206、208)与外部命令译码器(238)。当预定命令的预定位被设定至预定逻辑电平时,该外部命令译码器译码该预定命令,以用于确定将被存取的从该多个存储器模块中选定的存储器模块。
Q·哈桑
J·马思
S·罗斯纳
R·D·伊萨克
文献传递
配置在存储库及扇区内且与解码器相关联的存储器阵列
一种配置在存储库及扇区内且与解码器相关联的存储器阵列。存储器阵列(150),包括多个记忆库(memory bank)(B),各记忆库具有多个扇区(sector)(S)及多个扇区解码器,各扇区解码器操作地与扇区(S)相关联...
赤荻隆男
文献传递
具有线上膜及铜线的薄型多晶片堆迭封装件的方法及系统
本发明揭露一种具有线上膜及铜线的薄型多晶片堆迭封装件的系统及方法。该封装件包括衬底以及设于该衬底上方的第一芯片。铜线电性连接该第一芯片至该衬底。膜设于该第一芯片及该铜线的部分上方。另外,该膜将第二芯片粘结至该第一芯片。该...
赖玉清
F·Y·何
W·K·纳姆
涂莉莉
S·冯
关凯澄
文献传递
闪存装置的改进制造方法
于制造半导体装置的方法中,将栅极氧化层(60)设于硅基板(62)上。将第一多晶硅层(64)设于栅极氧化层(60)上,将电介质层(66)设于第一多晶硅层(64)上,和将第二多晶硅层(68)设于电介质层(66)上。于适当屏蔽...
何岳松
S·海戴德
王志刚
文献传递
在虚拟接地存储器阵列中位线之间的间隔件
根据一个例示实施例,一种制造含有位于基板(434)中之位线(402,404,406)之虚拟接地存储数组的方法,包括在该基板(434)中于相邻两条位线(402,404,406)之间形成(370)至少一个凹处(436,438...
小川裕之
文献传递
具扩充型电荷捕获层的存储器
存储器阵列包括多个位线和多个字线、栅极区及电荷捕获层。电荷捕获层宽于字线;电荷捕获层扩充超出栅极区的边缘以促进补捉以及移除电荷。
S·房
T-S·陈
C·陈
文献传递
非易失性半导体存储器用区块保护电路、区块保护方法、及非易失性半导体存储器
本发明的区块保护电路,具有:非易失性存储部,存储意味每区块或每区块集合有无保护状态的数据;易失性存储部,存储意味每区块或每区块集合有无保护状态的数据;通常,在所述非易失性存储部与所述易失性存储部的至少一方存储有表示保护区...
黑崎一秀
文献传递
调整聚合物存储单元的编程阈值的系统及方法
提供调整与聚合物存储单元(215,640)操作相关之阈值的系统与方法,系通过在后制造阶段施加经调整之电场与/或电压脉冲宽度于该聚合物存储单元上。该编程阈值之客制化一般可在编程该存储单元之任一周期(215,640)获得,以...
S·斯皮策
J·H·克里格
D·豪恩
文献传递
全选
清除
导出
共28页
<
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张