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先进微装置公司

作品数：1,126 被引量：0H指数：0
相关机构：ATI技术无限责任公司国际商业机器公司富士通股份有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,126篇中文专利

领域

  • 25篇自动化与计算...
  • 23篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇天文地球
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 206篇半导体
  • 146篇晶体管
  • 129篇电路
  • 118篇处理器
  • 102篇存储器
  • 85篇栅极
  • 75篇集成电路
  • 68篇内存
  • 67篇半导体装置
  • 65篇计算机
  • 62篇沟道
  • 61篇蚀刻
  • 60篇漏极
  • 56篇缓存
  • 51篇计算机系
  • 51篇计算机系统
  • 50篇化物
  • 49篇总线
  • 44篇源极
  • 44篇金属

机构

  • 1,126篇先进微装置公...
  • 16篇ATI技术无...
  • 4篇国际商业机器...
  • 3篇斯班逊有限公...
  • 3篇富士通股份有...
  • 2篇ATI科技公...
  • 2篇东京毅力科创...

年份

  • 4篇2023
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 10篇2017
  • 18篇2016
  • 30篇2015
  • 23篇2014
  • 24篇2013
  • 48篇2012
  • 73篇2011
  • 69篇2010
  • 121篇2009
  • 116篇2008
  • 109篇2007
  • 121篇2006
  • 184篇2005
  • 82篇2004
  • 68篇2003
  • 20篇2002
共 1,126 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有拉伸应变基片的MOSFET器件及其制备方法
一个示例性实施例涉及一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法。该方法包括提供其上形成有栅极(54)的基片(40)并且至少进行以下沉积步骤中的一种：沉积隔片层并在位于基片(40)上的硅层(42)之上的栅极...
M-V·努P·R·贝塞尔林明仁汪海宏
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通过过滤基于ISDN的信号以实施家用网络的装置和方法
本发明揭露一种可以在有4线ISDN SO数据总线的基于ISDN的客户前端中建置一个网络。该基于ISDN的客户前端包括一个用于居住客户前端和公共电话交换网络之间接口的网络终端基本存取(NTBA)组件，而所述的接口将2线IS...
B·维勒
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半导体器件及制造方法
本发明公开了一种适用于集成电路中的应变半导体器件，以及一种用以制造该应变半导体器件的方法。从绝缘体上半导体的衬底形成台面隔离结构。在该台面隔离结构上形成栅极结构。该栅极结构包含配置在栅极电介质材料上的栅极，并具有两组相对...
Z·克里沃卡皮奇
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多处理器架构与方法
本申请揭露多处理器架构与方法的实施例。实施例提供替换使用外部桥集成电路(IC)架构。例如，一实施例多任务周边总线，因而多个处理器可使用一个周边接口槽而不需要外部桥IC。实施例可使用已知的总线协议。
S·索尔基S·莫雷因M·S·格罗斯曼
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并行故障检测方法
一种并行故障检测装置及其方法。该并行故障检测方法，包括先由第一处理工具(105A)接收与工件处理相关的数据；接着由第二处理工具(105B)接收与工件处理相关的数据；以及将至少部分所接收的数据与共有的故障模型(180)作比...
E·小考斯E·D·亚当斯三世R·J·郑H·E·卡索耳T·J·松德尔曼A·J·帕萨迪恩
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转译后备缓冲器清除滤波器
一种转译后备缓冲器(TLB)清除滤波器。于一个具体实施例中，中央处理单元包含TLB用于储存最近地址转译。TLB清除滤波器监视内存区块，由该内存区块，地址转译已经于TLB中加载及高速缓存。TLB清除滤波器配置以侦测内存中是...
G·D·小苏拉斯基M·T·克拉克
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收发器装置的自动增益控制器及自动控制输入信号的增益的方法
一种收发器组件的自动增益控制器，使用一数字拓扑方法(topology)以达到有效且快速的增益安定(settling)，使得一可变增益部的输出信号能够介于一预设范围内。在一实施例中，一输出信号被定期地抽样检查并锁存以便代表...
W·克拉格L·岱瑟D·艾格特
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对安全性敏感指令监控执行的方法与装置
一种对安全性敏感指令监控执行的方法与装置。第一安全标志(ID)与处理器(305)所执行的多个指令中的每一个或一指令集合相关联。在该处理器(305)上所执行的软件程序代码请求执行多个指令中至少一个或一指令集合。该处理器(3...
B·C·巴恩斯R·W·施密特G·S·斯特龙金
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用于使N－沟道与P－沟道晶体管个别最佳化的差别隔离层的形成方法
一种形成半导体的方法，该半导体具有n－沟道晶体管(12)和p－沟道晶体管(14)且具有对于各不同类型晶体管的最佳栅极至漏极交迭电容，该方法对于各个晶体管(12、14)在栅极(16)上使用差别隔离层。第一偏移隔离层(18)...
D·H·琼
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在快擦写EEPROM中编程及过擦除更正模式中弱化位线漏电流的电路装置
本发明提供一种可以在编程和过度擦除操作中弱化位线漏电流的方法和一种快擦写存储器元件。快擦写存储器单元排列在I/O区块的阵列中,而I/O区块中有许多行和许多列。在共同阵列的源极连接和接地之间连接着一个电阻器阵列。电阻器阵列...
科林·比尔S·S·海德特J·苏溪彰陈为汉
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