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深圳尚阳通科技有限公司

作品数：137 被引量：0H指数：0
相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司华南理工大学更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信文化科学轻工技术与工程自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 135篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 34篇电子电信
  • 5篇文化科学
  • 4篇轻工技术与工...
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 45篇导通
  • 45篇导通电阻
  • 45篇电阻
  • 41篇击穿电压
  • 38篇外延层
  • 25篇屏蔽
  • 24篇电荷
  • 24篇比导通电阻
  • 23篇环氧化
  • 23篇功率器件
  • 22篇终端区
  • 20篇雪崩
  • 20篇槽栅
  • 19篇导电类型
  • 19篇电荷平衡
  • 19篇过渡区
  • 18篇电容
  • 18篇原胞
  • 16篇沟槽
  • 15篇电路

机构

  • 137篇深圳尚阳通科...
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇上海华虹宏力...

作者

  • 1篇彭俊彪

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 4篇2023
  • 20篇2022
  • 13篇2021
  • 29篇2020
  • 33篇2019
  • 21篇2018
  • 3篇2017
  • 13篇2016
  • 1篇2015
共 137 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
超结器件及其制造方法
本发明公开了一种超结器件，包括：依次形成于N型半导体衬底上的N型冗余外延层和N型缓冲层；在N型缓冲层之上形成有沟槽填充型超结结构；背面结构包括漏区和图形化的背面P型杂质区域；N型半导体衬底在背面减薄工艺中被去除，N型冗余...
肖胜安曾大杰
一种超级结器件及制造方法
本发明属于集成电路制造技术领域，提供了一种超级结器件及制造方法，本发明提供的超级结器件包括了半导体衬底、外延层、漂移区、多个超级结P柱、源区、沟道区、离子注入区、氧化物层、多晶硅栅极；所述超级结P柱为多段结构，包括多个第...
肖胜安
文献传递
一种超级结器件及其制作方法
本发明公开了一种超级结半导体器件及其制作方法，器件的交替排列的P‑N薄层至少由两段交替排列的P‑N薄层构成。相邻两段交替排列的P‑N薄层中的同种类型的杂质浓度可以相等，也可以不相等；相邻两段交替排列的P‑N薄层中一段的交...
肖胜安
文献传递
沟槽栅超结器件及其制造方法
本发明公开了一种沟槽栅超结器件，第一原胞包括一个沟道P型柱和一个以上的浮空P型柱；在沟道P型柱的顶部两侧形成有P型阱、源区、沟槽栅和连接到源极的接触孔；浮空P型柱的顶部不形成P型阱、沟道和接触孔。第一原胞内的沟道P型柱和...
肖胜安曾大杰李东升
文献传递
超结器件
本发明公开了一种超结器件，器件单元区的第一超结结构由第一和二种柱交替排列而成；终端区的第二超结结构由第三和多四种柱交替排列而成。第二种柱都连接到正面电极，第一种柱都通过连接到背面电极。终端区的最内侧包括有过渡区，过渡区外...
蒋容
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屏蔽栅功率器件及其制造方法
本发明公开了一种屏蔽栅功率器件，导通区原胞的栅极结构包括：形成于沟槽中的屏蔽电极和沟槽栅电极，屏蔽电极和沟槽的底部表面和侧面之间的屏蔽介质膜的厚度在从沟槽的顶部到底部纵向上逐渐增加；在沿沟槽的宽度方向的剖面上，屏蔽电极的...
肖胜安李东升曾大杰
文献传递
沟槽栅MOSFET器件及其制造方法
本发明公开了一种沟槽栅MOSFET器件，沟槽栅包括栅极沟槽、栅介质层和栅导电材料层；栅极沟槽形成于半导体衬底中；栅导电材料层填充在所述栅极沟槽中，在栅极沟槽的顶部形成有栅导电材料层被自对准回刻形成的第一自对准回刻沟槽，在...
蒋容
超结结构及其制造方法
本发明公开了一种超结结构，由两层超结子结构叠加而成，两层P型子柱都由填充于对应的子沟槽中的P型子外延层组成，子沟槽都为侧面倾斜且顶部宽度大于底部宽度的结构，位于底层的第一超结子结构的最佳电荷平衡加正负5％的变化范围对应的...
肖胜安
一种超级结MOSFET结构及其制造方法
本发明公开一种超级结MOSFET结构及其制造方法，该MOSFET结构包括：A型衬底、形成于所述A型衬底上的A型外延层以及形成于所述A型外延层中的B柱，所述A型外延层包括第一A型外延层以及至少一层第二A型外延层，所述B柱包...
曾大杰
文献传递
超结器件及其制造方法
本发明公开了一种超结器件，保护环氧化膜将电荷流动区露出以及将过渡区全部覆盖并将终端区全部或大部分覆盖，保护环氧化膜的设置使得JFET区域和源区都能实现全面注入，使JFET区域会和各P型阱相交叠并降低对应的P型阱的表面的掺...
肖胜安曾大杰
文献传递
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