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佳能安内华股份有限公司

作品数：452 被引量：0H指数：0
相关机构：佳能株式会社株式会社日立国际电气东京毅力科创株式会社更多>>
相关领域：电子电信文化科学金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 452篇中文专利

领域

  • 24篇电子电信
  • 16篇文化科学
  • 12篇金属学及工艺
  • 8篇自动化与计算...
  • 8篇一般工业技术
  • 5篇建筑科学
  • 5篇交通运输工程
  • 5篇理学
  • 4篇电气工程
  • 3篇经济管理
  • 3篇化学工程
  • 2篇轻工技术与工...

主题

  • 167篇基板
  • 87篇溅射
  • 48篇靶材
  • 39篇阴极
  • 39篇衬底
  • 38篇溅射设备
  • 37篇等离子体
  • 37篇成膜
  • 35篇电极
  • 34篇半导体
  • 33篇真空容器
  • 27篇金属
  • 24篇真空
  • 24篇磁场
  • 23篇保持器
  • 21篇介质
  • 21篇磁铁
  • 20篇装载
  • 18篇托盘
  • 16篇电子装置

机构

  • 452篇佳能安内华股...
  • 11篇佳能株式会社
  • 3篇株式会社爱发...
  • 3篇国立大学法人...
  • 3篇独立行政法人...
  • 3篇索尼株式会社
  • 3篇东京毅力科创...
  • 3篇株式会社日立...
  • 2篇松下电器产业...
  • 1篇大金工业株式...
  • 1篇株式会社东芝
  • 1篇关东电化工业...

年份

  • 1篇2024
  • 9篇2023
  • 28篇2022
  • 10篇2021
  • 13篇2020
  • 8篇2019
  • 8篇2018
  • 14篇2017
  • 24篇2016
  • 25篇2015
  • 42篇2014
  • 26篇2013
  • 57篇2012
  • 67篇2011
  • 67篇2010
  • 40篇2009
  • 6篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2006
共 452 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
贵金属膜的连续成膜方法和电子零件的连续制造方法
在利用等离子体溅射连续地进行贵金属膜的成膜处理时，防止由于腔室的内壁被贵金属覆膜覆盖而使二次电子的发射特性降低的情况，以谋求生成和维持等离子体。在进行使贵金属膜形成在任意的基板上的成膜处理之后且在对接下来的基板进行成膜处...
若柳俊一渡边荣作
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输送装置及具有该输送装置的处理装置
本发明提供一种输送装置，其具有：齿条、第一小齿轮、以及第二小齿轮；该齿条设置在能够进退移动的托架，在任何部分齿顶的形状都相同；该第一小齿轮与所述齿条啮合；该第二小齿轮在与所述第一小齿轮相比更靠所述托架的前进方向侧的位置与...
西村健一冈本直之户谷宽行
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等离子体处理装置和沉积方法
本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：保持器，该保持器将要进行处理的物体保持在真空腔室中，同时与该物体电连接；第一卷取部分，该第一卷取部分设置成卷取导电板，并在等离子体处理时设置为与物体不同的电势；以及第二卷取部分，该...
徐舸
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加热装置、基板加热装置及半导体装置的制造方法
本发明涉及加热装置、基板加热装置及半导体装置之制造方法。加热装置，包括：加热器、电子反射板、布置于所述加热器与所述电子反射板之间的丝极、对所述丝极的第1端子与第2端子之间供应交流电压而使热电子从所述丝极放出的加热电源、对...
佐佐木雅夫吉林和俊佐藤贤司村田宪三
磁控溅射装置以及溅射方法
本发明提供一种磁控溅射装置以及溅射方法，该磁控溅射装置的磁铁单元具有：内侧磁铁、外侧磁铁、将这些固定的非磁体、以及将内侧磁铁和外侧磁铁的磁极连接的磁轭。磁轭具有板状的形状，被与矩形状地排列的外侧磁铁的长度方向正交的面分割...
佐佐木雅夫
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高频溅射装置
通过使用控制高频溅射装置的自偏压的方法来提供高质量的磁阻薄膜。为了通过调整基板电位来控制基板的自偏压，根据本发明的高频溅射装置包括：室；排气部件，其对所述室的内部进行排气；气体导入部件，其将气体供给至所述室中；基板座，其...
永峰佳纪中村贯人恒川孝二
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晶片支架
本发明的目的在于提供一种晶片台支架，其包括晶片装载在其上的晶片台和围绕所述晶片台的晶片台外环，其用在等离子加工腔中，用于减小边缘隔绝(EE)同时防止晶片背部污染。本发明中，晶片支架包括晶片台和围绕所述晶片台的晶片台外环，...
苏尼尔·威克拉玛纳雅卡
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衬底加热设备、加热方法以及半导体装置制造方法
本发明涉及衬底加热设备、加热方法以及半导体装置制造方法。本发明涉及一种具有加热衬底的传导加热器的衬底加热设备，其包括布置在传导加热器中并连接至丝极电源以产生热电子的丝极、以及使热电子在丝极和传导加热器之间加速的加速电源。...
柴垣真果土井浩志江上明宏佐佐木俊秋长谷川晋也
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晶片支架
本发明的目的在于提供一种晶片台支架，其包括晶片装载在其上的晶片台和围绕所述晶片台的晶片台外环，其用在等离子加工腔中，用于减小边缘隔绝(EE)同时防止晶片背部污染。本发明中，晶片支架包括晶片台和围绕所述晶片台的晶片台外环，...
苏尼尔·威克拉玛纳雅卡
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多层膜溅射设备及多层膜形成方法
本发明提供一种溅射设备和一种使用该溅射设备的多层膜形成方法，所述溅射设备通过有效地使用靶以高生产率和较少的螺旋形状形成多层膜。多层膜溅射设备的实施方式包括：能转动的阴极单元(30)，所述阴极单元(30)具有相对于转动中心...
芝本雅弘
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