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直江津电子工业株式会社

作品数：7 被引量：0H指数：0
相关机构：信越化学工业株式会社信越半导体株式会社信越半导体股份有限公司更多>>

合作机构

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 4篇晶片
  • 3篇电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇自动校准
  • 2篇位错
  • 2篇校准
  • 2篇扩散
  • 2篇扩散层
  • 2篇基板
  • 2篇基片
  • 2篇光刻
  • 2篇光泽度
  • 2篇硅外延
  • 2篇飞散
  • 2篇分立
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体装置
  • 2篇掺杂

机构

  • 7篇直江津电子工...
  • 3篇信越化学工业...
  • 2篇信越半导体股...
  • 2篇信越半导体株...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2001
  • 1篇1999
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
分立基板的制造方法
本发明的任务是提供一种以具有低位错密度的分立基板为对象,可以方便地获得所需位错密度的制造方法。本发明所提供的解决方案是在制造平均位错密度在5000个/厘米<Sup>2</Sup>以下时的低位错密度的分立基板时,在一定范围...
佐藤勉
文献传递
太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法
本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂...
大塚宽之高桥正俊石川直挥斋须重德植栗豊敬生岛聪之渡部武纪赤塚武大西力
文献传递
硅外延晶片及其制造方法
直接在化学蚀刻基片上形成硅单晶薄膜之方式,能有效地降低全制程所需时间,对于硅外延晶片之制造成本的降低与制造效能之提升,进而在晶片价格的降低以及交期缩短上有相当大的贡献。此外,于进行化学蚀刻处理时,由于能将蚀刻量确保在60...
长谷川宏一大久保裕司
文献传递
硅外延晶片及其制造方法
直接在化学蚀刻基片上形成硅单晶薄膜之方式，能有效地降低全制程所需时间，对于硅外延晶片之制造成本的降低与制造效能之提升，进而在晶片价格的降低以及交期缩短上有相当大的贡献。此外，于进行化学蚀刻处理时，由于能将蚀刻量确保在60...
长谷川宏一大久保裕司
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非水电解质二次电池用负极材料及其制造方法
本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料的制造方法，该非水电解质二次电池用负极材料包含硅-碳复合材料，并且，该制造方法包含：准备硅纳米粒子的工序；制作包含前述硅纳米粒子与含碳材料的硅-碳复合材料的工序；及，将前述硅-碳复...
谷口一行中西铁雄矶谷胜行小林昇一
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分立基板的制造方法
本发明的任务是提供一种以具有低位错密度的分立基板为对象，可以方便地获得所需位错密度的制造方法。本发明所提供的解决方法是在制造平均位错密度在5000个/厘米<Sup>2</Sup>以下时的低位错密度的分立基板时，在一定范围...
佐藤勉
文献传递
太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法
本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂...
大塚宽之高桥正俊石川直挥斋顺重德植栗豊敬生岛聪之渡部武纪赤塚武大西力
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