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信越半导体股份有限公司

作品数：282 被引量：0H指数：0
相关机构：三垦电气株式会社不二越机械工业株式会社信越化学工业株式会社更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 282篇中文专利

领域

  • 14篇金属学及工艺
  • 14篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 119篇晶片
  • 64篇单晶
  • 46篇半导体
  • 45篇基板
  • 45篇硅晶
  • 42篇硅晶片
  • 39篇研磨
  • 37篇氧化膜
  • 31篇研磨装置
  • 30篇贴合
  • 25篇单晶硅
  • 25篇外周
  • 21篇线锯
  • 21篇钢线
  • 20篇制造装置
  • 20篇平坦度
  • 20篇掺杂
  • 18篇外延层
  • 18篇离子注入
  • 17篇翘曲

机构

  • 282篇信越半导体股...
  • 23篇三垦电气株式...
  • 17篇不二越机械工...
  • 11篇信越化学工业...
  • 2篇快递股份有限...
  • 2篇富士纺控股株...
  • 2篇直江津电子工...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2021
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2018
  • 12篇2017
  • 26篇2016
  • 25篇2015
  • 11篇2014
  • 27篇2013
  • 37篇2012
  • 38篇2011
  • 24篇2010
  • 32篇2009
  • 17篇2008
  • 6篇2007
  • 8篇2006
共 282 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
研磨剂制造方法、其制造的研磨剂和硅晶片制造方法
一种研磨剂的制造方法，是将二氧化硅粒子分散在水溶液中而制成的研磨剂的方法，其特征为至少包含：通过离子交换，除去所准备的硅溶胶中的金属化合物离子的步骤(B)；进一步将该离子交换后的硅溶胶高纯度化的步骤(D)；将碱金属氢氧化...
中村三喜男木田隆広高野智史今井利彦大嶋正昭
文献传递
绝缘层覆硅(SOI)晶片及其制造方法
本发明提供一种SOI晶片，该SOI晶片为至少具备SOI层的SOI晶片，其特征为：该SOI层的面方位的偏角是由{110}只往<100>方法，而且，偏角角度在5分以上2度以下；及提供一种SOI晶片的制造方法，至少...
高野清隆角田均
文献传递
SOI芯片的制造方法及SOI芯片
本发明是一种SOI芯片的制造方法，在该SOI芯片的BOX层上具有SOI层，在该SOI层上，使外延层成长而将SOI层增厚，其中，使用SOI芯片来使外延成长，该使所述外延层成长的SOI芯片的在800～1300纳米的红外线波长...
冈哲史桑原登
工件的双面磨削装置及工件的双面磨削方法
本发明是一种工件的双面磨削装置，至少具备：可自转的工件保持器，其沿着径向，从外周侧来支撑薄板状的工件；一对静压支撑构件，其位于该工件保持器两侧，沿着自转的轴向，从两侧通过流体的静压，非接触支撑工件保持器；以及一对砥石，其...
加藤忠弘小林健司
单晶制造装置及制造方法
本发明涉及一种单晶制造装置，至少具备腔室、腔室内的坩埚、配置在坩埚周围的加热器、拉起晶种的拉起机构、晶种和培育而成的单晶的导通路，并通过加热器来熔融已容置在坩埚内的多晶原料，且使晶种接触熔融状态的多晶而拉起，其特征在于，...
阿部孝夫
贴合基板及其制造方法
本发明是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，...
大槻刚曲伟峰田原史夫大井裕喜三谷清
文献传递
磊晶晶片的制造方法及磊晶晶片
一种制造磊晶晶片的方法，至少包含以下的步骤：在具有初期厚度的磊晶用基板的表面上，使磊晶层生长至比最后目标磊晶层的厚度更厚的步骤(D)；对前述已生长的磊晶层进行平面磨削而平坦化的步骤(G)；以及研磨经前述平面磨削后的磊晶层...
高见泽彰一佐山隆司
文献传递
发光元件
本发明是一种发光元件，其是使用化合物半导体基板而制造出来的发光元件，所述化合物半导体基板具有p型包覆层、多重有源层部及n型包覆层，其中多重有源层部是由以(Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>)<S...
石崎顺也
文献传递
单晶的制造方法及退火晶片的制造方法
一种单晶的制造方法，是通过切克劳斯基法在处理室内从相同的坩埚中的原料熔液4，提拉二根以上单晶3之多重牵引(multi－pulling)法，针对在从原料熔液4提拉单晶3之后，没有关闭加热器7的电源而将多晶原料追加投入残留的...
星亮二柳町隆弘
文献传递
附有薄膜的晶片的评价方法
本发明是一种附有薄膜的晶片的评价方法，其计算在基板的表面上具有薄膜的附有薄膜的晶片的前述薄膜的膜厚分布，其特征在于，通过向前述附有薄膜的晶片表面的部分区域上照射单波长λ的光，并检测前述区域的反射光，测定将前述区域分割为多...
桑原登
文献传递
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