上海交通大学微电子学院微电子技术研究所
- 作品数：113 被引量：281H指数：9
- 相关作者：史常忻汤玉生莘海维邵传芬管慧更多>>
- 相关机构：中国科学技术大学物理学院近代物理系中国科学技术大学物理学院西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- MIS反型层太阳电池栅电极间距的研究
- 1995年
- 根据计算得出的ＭＩＳ／ＩＬＰ－Ｓｉ太阳电池的表面面电阻与固定正电荷、界面态间的关系，分析了太阳电池电极栅间距的尺寸范围，并实测了该电池的固定正电荷密度、界面态密度和表面面电阻及电极栅间距对其性能的影响。
- 张怡彬郭里辉徐秀琴
- 关键词：太阳能电池
- 模拟与数字系统LSI基础研究
- 单器件阱ＭＯＳＦＥＴ不仅可提高ＬＳＩ集成度，还可提高ＬＳＩ设计的灵活性。该课题对器件的结构、工艺、特性、物理和应用作了较全面的研究。在版图面积不变的情况下，为提高单元器件的集成度，采用立体结构，实现了ＳＤＷＭＯＳＦＥＴ，...
- 关键词：
- 关键词：集成电路工艺模拟集成电路数字集成电路大规模集成电路
- “金刚石涂层技术”成果简介被引量：3
- 2001年
- “863”新材料领域项目金刚石涂层技术包含了涂层刀具和涂层拉丝模二部分研究工作,这些研究工作同时得到了上海市科技发展基金的资助。 以氢气和丙酮(或乙醇)为原料,采用化学气相法(简称CVD法)在硬质合金(WC-Co)刀具表面或拉丝模内孔涂覆一层金刚石薄膜,就可制备得到金刚石涂层刀具或涂层拉丝模。金刚石涂层呈多晶状,厚10～30μm,它具有硬度高、导热性好、抗冲击、自润滑性能好、化学性能稳定等特点。我们研制的涂层刀具,其抗冲击性能优于PCD刀具,与硬质合金刀具相近。
- 张志明
- 关键词：金刚石薄膜化学气相沉积刀具金属表面处理
- 超导场效应器件的统一小信号传输线模型被引量：2
- 1996年
- 本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导ＰＮ结型或肖特基结型场效应器件（ＪＳｕＦＥＴｓ）或（ＭＥＳｕＦＥＴｓ）的统一小信号模型。
- 蒋建飞蔡琪玉汤玉生周正利
- 双注入自对准扩散高压集成电路技术
- 陆鸣 马琪 林雁
- ＤＩＳＡＤＬＴ（双注入自对准扩散横向ＰＮＰ晶体管）高压集成技术，是利用横向ＰＮＰ集成晶体管固有的高压特性，通过二次离子注入和自对准扩散改善其电流增益和频率特性差的缺点而获得的一种高性能高压集成器件。该所在研究过程中还设计...
- 关键词：
- 关键词：集成电路工艺半导体集成电路集成电路
- 影响WSi_x与GaAs接触特性的因素
- 1990年
- 自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特基势垒特性和高温稳定性,本文较详细地实验研究了影响WSi_x与GaAs接触特性的诸因素,指出,除表面态外,主要有三种因素使WSi_x与GaAs之间的肖特基势垒二极管(SBD)性能变差:(1)Si在WSi_x中的含量;(2)界面情况——存在于GaAs表面的天然氧化层、退火后的互扩散和界面上生成的化合物;(3)溅射淀积WSi_x薄膜前,GaAs表面薄层的晶格状态.第三种因素对SBD性能的影响是在最近的实验中得到的.
- 李晓明史常忻忻尚衡
- 关键词：WSIXGAAS接触特性肖特基势垒
- 热丝CVD法生长纳米金刚石薄膜的研究被引量：26
- 2003年
- 系统地研究了热丝CVD法中反应气体压力对沉积产物金刚石薄膜的形貌和拉曼谱图的影响,提出了热丝CVD生长纳米金刚石薄膜的新工艺,并在50mm硅片上沉积得到高质量的多晶纳米金刚石薄膜。高分辨透射电镜分析表明,薄膜的晶粒尺寸约为10nm,〈111〉晶面间距为0.2086nm,与标准值0.2059nm很接近,晶粒周围由非晶结构包围。紫外激光拉曼光谱有尖锐的金刚石峰和明显的石墨峰。
- 张志明莘海维戴永兵孙方宏汪涛沈荷生
- 关键词：纳米金刚石
- YBCO弱连接网络用于电子线路的可行性研究
- 该课题在ＹＢａＣｕＯ超导体块材料制备、基本性能测试和模型性三端器件的研制等方面进行了较系统的工作。该课题的主要内容为：研究成功模型性超导晶体管（三端器件）；由第三端对另外两端进行控制，能形成明显的高－低电平（０，１），预...
- 关键词：
- 关键词：超导器件约瑟夫森结超导理论超导体
- Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试被引量：1
- 1997年
- 提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为１．５ＭｅＶ、剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器．
- 邵传芬史常忻张利民
- 关键词：肖特基结构半导体探测器粒子探测器
- 一种高增益的CMOS差分跨导放大器被引量：5
- 2002年
- 本文设计了一种可用于∑△A/D转换器的全差分跨导放大器 (OTA)。本放大器采用0 6 μm工艺实现 ,其两级间使用共源共栅补偿、并采用了动态共模反馈 ,其标定动态范围 (DR)为 82 8dB、开环直流增益为 90 9dB ,在最坏情况下需要 84 3ns以稳定到 0
- 何广军戴庆元
- 关键词：跨导放大器增益CMOS
