您的位置： 专家智库 > >

浙江大学信息科学与工程学院微电子技术与系统设计研究所

作品数：23 被引量：106H指数：7
相关作者：沈慧方邵华姚云龙俞宏黄浙隆更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省教育厅科研计划浙江省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

相关机构

文献类型

  • 23篇中文期刊文章

领域

  • 20篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇电路
  • 5篇CMOS工艺
  • 4篇感器
  • 4篇CMOS
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇电源
  • 3篇漏电
  • 3篇漏电保护
  • 3篇功率
  • 3篇光电
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇低功耗
  • 2篇电传感器
  • 2篇电阻
  • 2篇定制
  • 2篇定制设计
  • 2篇整流
  • 2篇同步整流

机构

  • 23篇浙江大学

作者

  • 9篇朱大中
  • 7篇韩雁
  • 3篇周鑫
  • 3篇何杞鑫
  • 3篇郭维
  • 2篇方邵华
  • 2篇俞宏
  • 2篇沈相国
  • 2篇洪慧
  • 2篇谢俊杰
  • 2篇姚丰
  • 2篇沈慧
  • 1篇黄浙隆
  • 1篇丁扣宝
  • 1篇孙颖
  • 1篇章炜巍
  • 1篇吴滔
  • 1篇詹桦
  • 1篇施朝霞
  • 1篇艾俊华

传媒

  • 5篇微电子学
  • 4篇电子器件
  • 4篇固体电子学研...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇压电与声光
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇材料导报
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 10篇2006
  • 8篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
共 23 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
CMOS微环境pH传感芯片研究被引量：5
2006年
基于离子敏感场效应晶体管(ISFET)基本结构及其电学特性,提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,pad工艺形成微区域独立传感窗口。片上集成100μm×100μm电极提供参考电位,消除了外加参考电位引起的溶液电压分布不均的现象。缓冲液从pH值1-13范围内对ISFET进行了测量,器件阈值电压随溶液pH值变化的平均灵敏度为44mV/pH,线性度在10%范围内。本结构可用于生物微环境pH值集成传感芯片设计中。
施朝霞朱大中
关键词：离子敏场效应晶体管CMOS工艺
新型低压、高速CMOS电荷泵电路被引量：5
2005年
针对电荷泵传统电路中存在的电荷注入、时钟馈通、电荷分享等现象、问题,提出了相应的解决措施,并且提出了一种新型的电荷泵电路。电路按0.18μmCMOS工艺设计,Spectre仿真,可以工作在1V电源电压下,频率达到1GHz,输出电压范围为100～980mV,功耗130μW,输出波形连贯无跳跃。该电荷泵具有结构简单、低压低功耗的特性,适合高速锁相环电路的使用。
俞宏韩雁
关键词：电荷泵锁相环电荷注入高速低功耗
一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件被引量：6
2003年
　高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路,高压集成电路的研究与发展,主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件,并对该器件结构进行了耐压分析,给出了该器件的击穿特性、等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明,该结构具有比较高的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小,不失为一种提高集成电路耐压的新途径。
方邵华何杞鑫姚云龙
关键词：高压集成电路LDMOS器件击穿特性击穿电压RESURF
一种智能化漏电保护芯片的设计被引量：1
2006年
提出了一种智能化漏电保护芯片。电路基于0.6μm CMOS工艺、采用数模混合信号设计,并用全定制的方法实现。与现有模拟漏电保护芯片相比,该芯片具有较高的智能化:对输入信号是否有效进行辨识,以排除干扰,减少误动作;采用数字延时代替现有的RC延时方式,大大提高了控制精度及三级匹配;三级保护的不同应用环境的可编程性;实现智能化开关控制;具有报警功能,保障安全。由于芯片的大部分功能由数字电路实现,大大降低了功耗。通过采用全定制的方法,优化电路和版图设计,减少了芯片面积,降低了成本。
潘海锋韩雁
关键词：漏电保护电路全定制设计
新型集成阵列四象限CMOS光电传感器的研制被引量：3
2005年
　本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时序控制电路组成.每个有源光电管的大小为60μm×60μm,其感光面积百分比(FillFactor)为64.5%.通过变频二次扫描的工作模式可将传感器的感光动态范围增大为84dB.传感器的感光灵敏度为2V/lx·s,工作速度根据目标照度可在2ms/帧～64ms/帧范围内调整.
周鑫朱大中
单片同步整流芯片中功率MOSFET分析及电路仿真被引量：1
2006年
同步整流技术是目前开关电源中一种新型的转换效率提升技术。遵循转换效率最高原则,使用器件结构仿真软件Medici对同步整流DC-DC变换器中的功率MOSFET进行结构分析,并得出选择建议。同时在Cadence中对同步整流技术相关电路进行仿真分析,得到了同步整流技术中的功率器件优化结果和外围线路结构。
姚丰孙林军
关键词：同步整流过零检测
脉宽调制型大功率LED恒流驱动芯片的研究被引量：12
2006年
基于0.6μm5V标准CMOS工艺,研究并设计了一种脉宽调制型大功率照明LED恒流驱动芯片为1W大功率照明LED灯提供350mA恒定的平均驱动电流。实现了在5V电源电压有10%跳变时,平均驱动电流的变化可被控制在4.5%以内。输出级开关MOS管采用高密度的版图结构使单位面积的有效宽长比与普通结构的MOS管相比提高了一倍。芯片的电源效率可达87%,与以前设计的串联饱和型半导体照明LED恒流驱动芯片[1]相比提高近25%。
沈慧郭维朱大中
关键词：恒流驱动电源效率
功率因数校正器芯片电路UC3854的分析被引量：9
2002年
随着开关电源越来越广泛的应用 ,电网的功率因数大大下降 ,功率因数校正成为一个新的问题。 UC385 4就是解决这个问题的一种高性能功率因数校正器。该电路采用平均电流模型 ,它通过脉宽调制输出的一连串脉冲信号来控制电路中开关晶体管的导通与截止 ,从而将输入电流与输出电压的相位重新调整到同相的状态 。
詹桦韩雁
关键词：功率因数校正器开关电源脉冲宽度调制乘法器
基于标准CMOS工艺的有源像素单元结构的研究被引量：2
2005年
基于标准N阱互补金属氧化物半导体集成电路(CM O S)工艺,设计了P+/N-w e ll/P-sub光电管结构和传统的N+/P-sub光电管结构的有源像素单元。像素单元面积为100μm×100μm,感光面积百分比分别为77.6%和89%,采用了上华0.6μm两层金属两层多晶硅CM O S工艺研制。测试分析结果表明P+/N-w e ll/P-sub结构在暗电流大小,光照响应信号大小,感光灵敏度和感光动态范围上均优于传统的N+/P-sub结构。通过改变复位信号频率,将P+/N-w e ll/P-sub结构像素的感光动态范围提高到139.8 dB,改善了有源像素的感光性能。
周鑫朱大中郭维
关键词：有源像素传感器光电传感器
半导体照明光源恒流驱动芯片的研究被引量：8
2006年
介绍了一种半导体照明光源恒流驱动芯片的设计。该芯片采用0.6μm CM O S标准工艺制造,包含有大功率M O SFET、带隙基准源电路、输出缓冲电路和取样反馈控制电路几个主要功能模块,在标准工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。该芯片可为工作电压为3.5 V,工作电流为350 mA的单个半导体照明光源提供恒定的驱动电流。在5 V电源电压有10%跳变的情况下,半导体照明光源的驱动电流的变化可被控制在1.71%以内,而距离光源10 cm处的照度变化仅为1.28%。当环境温度由25°C升高至85°C时,半导体照明光源的驱动电流减小1.14%,而距离光源10 cm处的照度仅减小1.09%。该恒流驱动芯片的电源效率可达63.4%。
沈慧朱大中
关键词：半导体照明功率集成恒流驱动
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0