您的位置: 专家智库 > >

常德师范学院电磁理论研究所

作品数:8 被引量:40H指数:3
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学兵器科学与技术更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 5篇半导体
  • 5篇半导体器件
  • 4篇计算机
  • 4篇计算机模拟
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁脉冲
  • 1篇电流模
  • 1篇电流模式
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇有源
  • 1篇有源滤波
  • 1篇有源滤波器
  • 1篇元件
  • 1篇元件参数
  • 1篇时域有限
  • 1篇时域有限差分
  • 1篇数值模拟
  • 1篇瞬态模拟
  • 1篇迁移

机构

  • 8篇常德师范学院
  • 2篇西北核技术研...

作者

  • 7篇余稳
  • 3篇蔡新华
  • 2篇聂建军
  • 2篇黄文华
  • 2篇刘国治
  • 1篇郭杰荣

传媒

  • 4篇常德师范学院...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇衡阳师范学院...
  • 1篇吉林化工学院...
  • 1篇武陵学刊(自...

年份

  • 8篇1999
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
半导体PN结器件一维稳态模拟
1999年
从研究半导体PN结器件烧毁物理机理出发,建立了一种高效通用的半导体PN结器件计算机分析模型,并编制了一维德态程序,瞬态程序及二维模型研究将随后开展。
余稳蔡新华黄文华刘国治
关键词:计算机模拟微波
电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏被引量:28
1999年
利用时域有限差分(FDTD)方法,对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟,得到了无负载半导体pn结器件在快前沿(ns量级)电磁脉冲作用下的瞬态行为。
余稳蔡新华黄文华刘国治
关键词:电磁脉冲半导体器件电流模式时域有限差分
半导体器件模拟中的时间拓展
1999年
利用计算机进行半导体器件模拟时,最大限制是所需CPU时间特别长。对此,提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法,可在满足精度(10%)的范围内将计算时间缩短45%以上。
蔡新华余稳
关键词:半导体器件计算机模拟
半导体PN结器件瞬态行为一维模拟被引量:2
1999年
用时域有限差分( F D T D) 方法对 P N 结器件所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组进行了数值计算,得到了半导体 P N 结器件的瞬态行为的一维模拟.
余稳聂建军
关键词:半导体器件瞬态模拟数值模拟
三阶有源滤波器的设计
1999年
讨论了由低阶有源滤波器实现高阶有源滤波器的理论证明,并经多次验算,给出了三阶有源滤波器元件参数的选择方案。对由一阶和二阶低通滤波器组成的三阶低通滤波器进行证明,论证它是否能满足三队巴特沃斯(Butterworth)低通滤波器的条件,根据实践经验,给出实用电路,测量出有关数据,同时给出实验证明。
郭杰荣
关键词:转移函数归一化有源滤波器元件参数幅频特性电路设计
高功率微波与微波武器被引量:7
1999年
介绍了高功率微波及微波武器-高功率微波弹的概念、基本原理及作用效能等,简述了研究微波武器对电子系统破坏机理的计算机模拟方法。
余稳
关键词:高功率微波微波武器计算机模拟
P-N结器件模拟参数的确定被引量:2
1999年
在给出半导体器件模拟基本方程的基础上,为减少模拟过程中的运算量,对模拟中所需的参数在何种状况下才开始起作用加以讨论。如载流子的雪崩系数,只有当电场强度达到某一值时才会考虑由于碰撞电离而引起的电子和空穴的产生,即载流子的雪崩系数,从而影响载流子的产生率。同时还给出了载流子的复合率、迁移率、本征载流子浓度、能带宽度、热传导系数随电场或温度的变化规律。
聂建军余稳
关键词:P-N结半导体器件迁移率热传导系数
半导体器件-维模拟的耦合、非耦合及“混合”算法被引量:5
1999年
文献[1]的继续,对文献中得出的差分方程组进行数值计算,讨论耦合、非耦合及混合算法,并给出计算结果.
余稳
关键词:半导体器件计算机模拟混合算法
共1页<1>
聚类工具0