华南理工大学电子与信息学院微电子研究所
- 作品数：13 被引量：13H指数：2
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- 发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
- 基于FPGA的三速SDI设计被引量：3
- 2011年
- 研究了SDI发展现状,针对用同一物理接口动态支持三速(标准清晰度/高清晰度/3G)SDI的可行性,提出了一个基于FPGA的三速SDI设计方案。主要阐述了三速SDI的设计思想,详细分析了系统主要模块的功能及方案的基本硬件组成,并评估了该设计的性能和适用性。
- 黄隶凡郑学仁
- 关键词：FPGASERDES
- PMOSFET动态NBTI效应的研究被引量：2
- 2010年
- 负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力下NBTI(SNBTI)退化机理,综述了DNBTI效应的动态恢复机制以及影响因素,最后介绍了NBTI效应对电路的影响。随着器件尺寸的日益缩小,如何提高电路的可靠性变得日益重要,进一步研究NBTI效应对电路的影响从而进行NBTI电路级可靠性设计已成为集成电路设计关注的焦点。
- 宋芳芳解江李斌章晓文
- 关键词：PMOS可靠性
- 运算放大器失效原因分析
- 某单运算放大器在应用过程中发现输出电流过大、运放功能失效。本文对该运放进行失效分析，通过端口Ⅳ特性测试、开封内目检分析,并结合器件内部电路原理分析，确定了该运放功能失效的模式及原因。为减少及预防同类失效的再次发生提供了依...
- 林晓玲章晓文
- 关键词：运算放大器电路设计
- 运算放大器失效原因分析
- 某单运算放大器在应用过程中发现输出电流过大、运放功能失效。本文对该运放进行失效分析，通过端口IV特性测试、开封内目检分析,并结合器件内部电路原理分析，确定了该运放功能失效的模式及原因。为减少及预防同类失效的再次发生提供了...
- 关键词：运算放大器
- 文献传递网络资源链接
- 半导体器件功率老化的结温控制方法研究被引量：2
- 2010年
- 半导体器件功率老化所面临的主要问题是结温控制。为了确保半导体器件老化的可靠性，对现有的连续脉冲结温控制方法进行讨论和改进，并给出相应的结温测试电路。理论分析和实验表明，凋整脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率，确能使器件结温达到老化的要求，并分析了脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率对结温的影响。最后在此基础上，提出一种多个分立器件使用单电源串行功率老化的方法。
- 冯永杰李斌黄云
- 关键词：半导体器件
- 铜—低k集成技术的失效模式及失效分析
- 随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展,铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要。新技术和新工艺的引入,使得Cu互连的可靠性问题出现了新的特征,给器件失效分析时带来了新的挑战。本文讨论了与铜/低k技术有关的失效模式,及与铜...
- 林晓玲章晓文
- 关键词：集成电路
- 文献传递
- 一种图像缩放的简化双线性插值电路被引量：2
- 2009年
- 设计了一个新颖的图像缩放的线性插值电路.该电路只使用一个有符号的乘法器,与常用的滤波器形式插值电路相比,不需要额外的步长查找表地址产生器和ROM等电路,大大节省硬件开销.仿真结果表明:该电路正确完成线性插值运算,适用于双线性插值运算.
- 廖汝鹏蔡泽锋闾晓晨郑学仁
- 关键词：双线性插值定标器图像缩放
- 化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析被引量：3
- 2011年
- 探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封装前对圆片进行芯片功能参数测试和严格的镜检,以便在封装前剔除存在潜在工艺缺陷的芯片,达到既定可靠性要求。
- 林晓玲刘建章晓文侯通贤姚若河
- 关键词：化学机械抛光CU互连
- 基于LSSVM的威布尔分布形状参数估计被引量：1
- 2008年
- 固态介质击穿寿命特性通常用威布尔分布来描述,形状参数β反应了固态介质的失效特征,因而需要精确估计β值。提出了在小样本情况下基于最小二乘支持向量机(LSSVM)的参数评估方法,并给出了LSSVM在MOS电容与时间有关的击穿寿命分布评估中的应用实例,并与常规的最小二乘评估方法相比,得到的结果表明LSSVM的评估精度更高(均方误差更小)、鲁棒性更好,在小样本情况下能更精确地确定威布尔分布的形状参数。
- 邹心遥姚若河
- 关键词：可靠性评估最小二乘支持向量机
- 通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响被引量：1
- 2011年
- 基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度;通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.
- 林晓玲侯通贤章晓文姚若河
- 关键词：工艺波动
