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浙江大学信息学院微电子技术与系统设计研究所

作品数:2 被引量:3H指数:1
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电路
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇互补金属氧化...
  • 2篇集成电路
  • 2篇感器
  • 2篇半导体
  • 2篇CMOS
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 2篇磁敏
  • 2篇磁敏传感器
  • 1篇裂漏

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇郭清
  • 2篇朱大中
  • 1篇姚韵若

传媒

  • 1篇传感技术学报
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
扇形分裂漏CMOS磁敏传感器集成电路被引量:2
2006年
介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0.6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测量磁场的功能,并实现了在屏蔽磁场的工作模式下对噪声信号进行校正的功能,有效地消除了磁敏传感器及其信号处理电路的噪声影响。在工作频率为10 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62 V/T。
郭清朱大中姚韵若
关键词:互补金属氧化物半导体磁敏传感器
基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路被引量:1
2006年
研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62V/T.
郭清朱大中
关键词:互补金属氧化物半导体磁敏传感器
共1页<1>
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