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华中科技大学物理学院武汉光电国家实验室

作品数：2 被引量：3H指数：1
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相关机构

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇性能研究
  • 2篇纳米
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 1篇氧化锡
  • 1篇氧化锌
  • 1篇纳米棒
  • 1篇纳米带
  • 1篇纳米氧化锌

机构

  • 2篇华中科技大学

作者

  • 2篇高义华
  • 2篇黄德修
  • 2篇张端明
  • 2篇韩祥云
  • 1篇张翔晖
  • 1篇孙敏
  • 1篇王月娇
  • 1篇张宏意

传媒

  • 2篇纳米科技

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
纳米氧化锌的制备及其光致发光性能研究被引量：1
2008年
采用低温蒸发和气相输运方法，研制出ZnO的纳米棒－纳米钉、纳米钉类球状聚集体和具有钉状结构的纳米梳。利用透射电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌与结构进行了表征，阐明了ZnO纳米结构的生长机理。用荧光光谱仪测量了退火前后纳米棒－纳米钉结构的光致发光谱，结果显示，在380nm处两者均存在近紫外峰，在500nm处出现绿色宽谱峰，而退火2h后近紫外发光峰窄而强，且发生了少许蓝移，此现象可归因于退火后的ZnO纳米结构具有较低的点缺陷浓度。
孙敏张宏意韩祥云高义华张端明黄德修
关键词：光致发光
氧化锡纳米带的制备和光致发光性能研究被引量：2
2009年
采用常压热蒸发锡粉的方法制备出尺寸均匀、表面光滑致密的SnO2纳米带。通过高温退火处理，氧化锡纳米带从Sn304和SnO2的混合相转变为SnO2金红石相。深入研究了SnO2纳米结构的光致发光性能，结果显示，退火前SnO2纳米带在600nm附近有一较强的发光峰，在375nm有一弱发光峰；退火处理后，375nm处的PL峰消失，此现象可能是由于退火后纳米带中晶格缺陷减少而导致。
张翔晖王月娇韩祥云高义华黄德修张端明
关键词：氧化锡纳米带光致发光
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