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中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室

作品数:2 被引量:6H指数:1
发文基金:国家自然科学基金山西省基础研究计划项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇多步
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇退火
  • 1篇退火工艺
  • 1篇纳机电系统
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀技术
  • 1篇硅微结构
  • 1篇高深宽比
  • 1篇O3
  • 1篇ZR

机构

  • 2篇中北大学

作者

  • 2篇丑修建
  • 1篇耿文平
  • 1篇穆继亮
  • 1篇熊继军
  • 1篇郭茂香
  • 1篇张文栋
  • 1篇杜妙璇
  • 1篇陈东红
  • 1篇刘冰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
高深宽比硅基微纳结构制造方法及其应用被引量:6
2013年
三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深宽比硅基微纳结构的种类及特点;系统综述了该结构的制造方法及国内外研究现状;详细描述了不同外形特征结构的应用领域;从工艺标准、建模仿真、批量生产等方面讨论了高深宽比硅基微纳结构制造存在的技术瓶颈问题,并对高深宽比硅基微纳结构的可靠制造与发展趋势进行了展望。
穆继亮郭茂香刘冰陈东红丑修建熊继军
关键词:纳机电系统高深宽比硅微结构刻蚀技术
多步退火对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜的影响
2012年
采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响。结果表明:与传统的单步退火方式相比,多步退火工艺制备的反铁电厚膜材料晶粒尺寸较大,结构致密性好,室温下反铁电态更稳定,具有良好的择优取向度(100)、较高的介电常数(达529)和饱和极化强度(达42μC/cm2)。其反铁电-铁电和铁电-反铁电的相变电场强度分别为198和89 kV/cm,反铁电-铁电相变电流密度达2×10-5 A/cm2,多次退火工艺可提高反铁电厚膜的成膜质量。
杜妙璇耿文平丑修建张文栋
关键词:溶胶-凝胶退火工艺电学特性
共1页<1>
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