陕西微电子学研究所
- 作品数：60 被引量：31H指数：3
- 相关作者：沈绪榜袁小龙梁松海王方李荫波更多>>
- 相关机构：北京师范大学江苏自动化研究所国防科学技术大学更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信经济管理电气工程更多>>
- 一种新的内部表示模型
- 1997年
- 高级综合技术的研究在当前倍受关注。高级综合的第一步是将以算法形式给出的数字系统的行为描述转化为综合设计的内部表示，而后在此基础之上进行其它子任务。文中提出了一种新的赋值决策图（ＡＤＧ）的内部表示模型，该模型的最大特点是可解决高级综合系统中所存在的语法变化问题，它能够表示出给定的设计的最大并行性，并且具有可自动生成及容易理解的特点。
- 袁小龙沈绪榜
- 关键词：数字系统
- 三维计算机及其实现技术
- 1996年
- 本文介绍了用于大规模并行处理的三维计算机的概念，探讨了其处理器和控制器的基本结构，介绍了利用ＷＳＩ引方法实现三维计算机的三种基本技术。
- 沈绪榜蒋安平
- 关键词：并行处理计算机
- 反应离子刻蚀(RIE)Si＃-[3]N＃-[4]的研究
- 余山章定康黄敞
- 关键词：离子束加工集成电路
- 一个有效的圆片规模布局算法
- 1993年
- 本文提出了一个圆片规模布局算法,它是国外一个相应算法的改进形式,区别在于利用力定向布局法的方式不同。在相对位置阶段,该算法利用布局的层次特性将需确定所有电路元件相对位置的问题缩减至仅需确定宏电路元件相对位置的问题;在实际位置阶段,采用分治策略和取消前阶段层次划分的方式回避了需确定任意元实际位置的问题。其时间复杂度远低于国外相应算法。
- 任文杰陈福接沈绪榜
- 关键词：分治策略电路元件
- 实现技术与计算机体系结构
- 1991年
- 本文主要从实现技术的角度来看计算机的RISC体系结构、Array体系结构、WSI体系结构以及Neuron体系结构的兴起与发展。
- 沈绪榜
- 关键词：体系结构阵列神经元
- 一种循环结构的折叠调度算法被引量：1
- 1997年
- 操作调度是高级综合中的重要任务。本文提出了一种采用循环折叠对循环结构进行调度的调度算法。该算法可处理具有迭代间数据依赖的循环结构，复杂度低，采用它可获得具有最小迭代时间的循环结构的调度。经实验证明，该算法具有简单易懂且运行速度快的特点，特别适合数字信号处理应用。
- 袁小龙沈绪榜
- 关键词：数字系统
- 反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究
- 1992年
- 本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应,在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺,已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。
- 张兴石涌泉黄敞
- 关键词：SOI刻蚀工艺
- PGA:可编程门阵列
- 1991年
- 本文从PGA的发展概况开始,以三个公司的PGA产品为背景,讨论了PGA的体系结构,可重构模块,以及可编程互连网等问题.
- 沈绪榜
- 关键词：门阵列PGA程序设计
- 应用于VLSI的PSSWS-LDD MOSFET优化工艺研究被引量：2
- 1990年
- 提出实现VLSI的PSSWS(Poly Silicon Side Wall Spacer)—LDD(Lightly DopedDrain)结构,研究了它的形成工艺,获得多晶侧壁形成的优化工艺条件,制作出亚微米有效沟道长度的LDD NMOSFET。在器件性能研究和计算机模拟的基础上,得到PSSWS—LDDMOSFET的优化工艺实现条件;此条件下实现的有效沟道长为0.8μm的PSSWS—LDDNMOSFET,源漏击穿电压达20V,常规器件的小于16V;衬底电流较常规器件的减小约二个数量级。利用此优化条件,研制出高性能的1μm沟道长度的CMOS CD4007电路,2μm沟道长的21级CMOS环振,LSI CMOS 2.5μm沟道长度的门阵列电路GA 300 5SD。结果表明:PSSWS—LDD MOSFET性能衰退小,速度快,可靠性高,适用于VLSI的制造。
- 徐大林王方李荫波彭忠献黄敬
- 关键词：VLSIMOSFET
- 计算机体系结构
- 沈绪榜
- 关键词：计算机结构功能分析计算机科学
