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北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室

作品数：4 被引量：2H指数：1
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相关机构

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇半导体
  • 2篇硅
  • 2篇SIGE
  • 1篇电子特性
  • 1篇双波长
  • 1篇隧道结
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇功率
  • 1篇硅锗
  • 1篇发射结
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇SI/SIG...
  • 1篇SIGE/S...
  • 1篇SI衬底
  • 1篇HBT
  • 1篇HBT工艺
  • 1篇波长

机构

  • 4篇北京工业大学

作者

  • 4篇沈光地
  • 3篇邹德恕
  • 3篇陈建新
  • 2篇李建军
  • 2篇张时明
  • 1篇徐晨
  • 1篇鲁鹏程
  • 1篇赵玉琴
  • 1篇袁颖
  • 1篇杜春霞
  • 1篇韩军
  • 1篇马丽娜
  • 1篇田咏桃
  • 1篇郭伟玲
  • 1篇王婷

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2000
  • 2篇1996
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
SiGe/SiHBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响被引量：2
2000年
研究了 Si Ge/Si HBT基区 B杂质的偏析和外扩散对器件的影响 .发现用 MBE生长的Si Ge基区中 ,在材料生长时 B杂质的上述行为会严重破坏器件的室温电流增益并改变器件的低温性能 .采用数值计算分析了 B杂质的上述行为与在发射结产生的寄生势垒的关系 ,解释了器件温度特性的实验结果 .并根据计算模拟和实验 ,讨论了 Si
徐晨沈光地陈建新邹德恕李建军罗辑魏欢周静董欣
关键词：SIGEHBT
新型大功率双波长半导体激光器的研制
2005年
提出了一种新结构半导体双波长激光器 ,即用隧道结把两个发射不同波长的激光器结构通过外延生长的方法连接起来。通过计算和设计 ,制备了性能良好的大功率激射的双波长半导体激光器。双波长器件的实际激射波长分别为 95 1 nm和 987nm,为基模激射。器件在 5 3 0 m A直流工作时输出功率达到 5 0 0 m W,斜率效率为1 .3 3 W/A。在 2 A电流时功率达 2 .4W,斜率效率为 1 .3 8W/A;3 A电流时功率达 3 .1 W,斜率效率为 1 .2 1 W/A。
郭伟玲田咏桃李建军马丽娜鲁鹏程王婷邹德恕沈光地
关键词：大功率半导体激光器双波长隧道结
Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用
1996年
对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。
陈建新袁颖杜春霞张时明赵玉琴沈光地
关键词：硅硅锗半导体工艺
LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究
1996年
本文介绍了在电阻率为（７７～３００）ｋΩ·ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ＸＧｅｘ单晶薄层（其厚度一般为１～３μｍ）的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究，结果表明其缺陷密度和用ＭＢＥ及超高真空ＣＶＤ法生长的同样厚度和组分的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ薄层的缺陷密度相等甚至更低．霍尔迁移率μＨ与温度有μＨ∝Ｔｍ的关系，（在Ｔ＝８０～３００Ｋ时，ｍ＝－０．９５）．当ｘ＞０．８５时，μＨ的测量值和由Ｋｒｉｓｈｎａｍｕｒｔｈｙ计算的理论值相符，ｘ＜０．８５，测量值仅为理论值的７０％．由Ｂｉ杂质引入能级的电子激活能Ｅｎ与Ｇｅ的组分ｘ有关．但在ｘ＝０．８３时有最大值．其值分别为Ｂｉ在Ｓｔ，Ｇｅ体材料中的１／４．这表明用ＬＰＥ生长的ＳｉＧｅ层的电子特性不但与Ｂｉ而且还与ＳｉＧｅ的结构特性有关．
陈建新邹德恕张时明韩军沈光地
关键词：SIGE电子特性
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